李雅丹
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 氧化铟掺铪红外透明导电薄膜被引量：6
- 2020年
- 采用射频磁控溅射与退火工艺相结合的方法,分别在石英和硒化锌(ZnSe)衬底上制备了掺铪氧化铟(IHfO)薄膜,掺杂比例In2O3∶HfO2为98wt.%∶2wt.%.测试了薄膜的组成结构和3~5μm红外波段的光电性质,分析了退火温度、薄膜厚度和氧气流速对薄膜性能的影响.X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱表明,制备的IHfO薄膜具有氧化铟的立方体结构,掺杂铪并没有影响氧化铟的生长方向,但是减小了晶格间距,铪与铟外层电子形成新的杂化轨道.傅里叶变换红外光谱表明,随着退火温度的增加,IHfO薄膜在3~5μm波段的透过率逐渐下降,沉积在ZnSe衬底上的薄膜具有更平稳的透过率,厚度为100nm薄膜在3~5μm波段平均透过率为68%.测试霍尔效应表明,随着氧气流速的增加,IHfO薄膜电阻率逐渐增加,载流子浓度减小,霍尔迁移率变化不明显.晶界散射是影响IHfO薄膜迁移率的主要因素,当氧气流速为0.3sccm时,薄膜最佳电阻率为3.3×10-2Ω·cm.与透可见光波段的导电氧化铟锡(ITO)薄膜相比,制备的IHfO薄膜可以应用在3~5μm红外波段检测气体,红外制导等领域.
- 田丰毕然赵雯媛韩锋博李雅丹郑传涛王一丁
- 关键词：磁控溅射中红外透明导电薄膜氧化铟
- Ca掺杂对CuCrO_2薄膜形成和电学特性的影响被引量：3
- 2014年
- 采用溶胶凝胶法制备CuCrCaO2薄膜,研究不同气氛、退火温度下,Ca掺杂量对薄膜的形成和电学特性的影响.在N2环境中1 100℃退火,制得CuCr1-xCaxO2(x=0、0.01、0.03、0.05、0.07)薄膜.测量CuCrCaO2薄膜的X射线衍射,在低浓度Ca掺杂时,薄膜结晶良好,晶格常数a、c和平均晶粒尺寸n随掺杂浓度上升而上升;高浓度Ca掺杂时,有杂相生成,a、c、n重新变小,和X射线衍射分析结果相吻合.另将3%Ca掺杂量,分层旋涂后的薄膜分别在空气和N2中以不同温度快速退火,X射线衍射表明在N2条件下,分层次的掺杂使CuCrCaO2结晶取向趋于单一,并且退火温度越高,择优取向越明显.用霍尔仪测量不同Ca掺杂量薄膜的电学特性,x=0.03时薄膜有最佳电导率1.22×10-1S/cm,比未掺杂的薄膜提高了三个数量级,说明适量Ca掺杂有助于提高薄膜电导率,对应的薄膜载流子迁移率为1.77×1018cm-3,正的霍尔系数表明该材料是P型结构.
- 胡冰揣雅惠付洋李雅丹沈宏志张红杨悦王一丁
- 关键词：溶胶-凝胶旋涂薄膜生长退火晶相
