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王晶

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳仪器仪表工艺研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇霍尔元件
  • 1篇氮气保护
  • 1篇镀层
  • 1篇镀层结构
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇膜层
  • 1篇基底
  • 1篇基底表面
  • 1篇隔离层

机构

  • 2篇沈阳仪器仪表...

作者

  • 2篇冯桂华
  • 2篇于成民
  • 2篇刘佩瑶
  • 2篇孙仁涛
  • 2篇关杰
  • 2篇王晓雯
  • 2篇王晶

年份

  • 2篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
锑化铟薄膜的制造方法
一种锑化铟薄膜的制造方法首先用电阻加热蒸发In源，在预先已加热到一定温度的基底上真空蒸镀一层In层，再用电阻加热蒸发InSb+Sb源，在其上再真空蒸镀一层InSb层，随后用电阻加热蒸发In源，在基底表面再真空蒸镀一层In...
于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
文献传递
锑化铟薄膜的镀层结构
一种锑化铟薄膜的镀层结构是在具有隔离层的基底上，从内至外依次镀In层、InSb+Sb层和In层，具有这种镀层结构的薄膜经结晶化转化后可以制出高电子迁移率的锑化铟薄膜，使其在霍尔元件中具有实用性。
于成民刘佩瑶孙仁涛冯桂华王晓雯关杰曾永宁王晶
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