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李跃

作品数：31 被引量：4H指数：2
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西教育厅科研项目更多>>
相关领域：电子电信自然科学总论一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 3篇科技成果
  • 2篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 11篇沟道
  • 8篇耐压结构
  • 8篇功率器件
  • 8篇固定电荷
  • 8篇SOI
  • 7篇介质材料
  • 7篇复合沟道
  • 6篇MHEMT
  • 5篇放大器
  • 4篇低噪
  • 4篇低噪声
  • 4篇低噪声放大器
  • 4篇叠放
  • 4篇振荡器
  • 4篇态密度
  • 4篇微波振荡器
  • 4篇界面态
  • 4篇界面态密度
  • 4篇MMIC
  • 3篇单片

机构

  • 31篇桂林电子科技...
  • 3篇杭州电子科技...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇深圳飞骧科技...

作者

  • 31篇李跃
  • 29篇李琦
  • 29篇李海鸥
  • 14篇陈永和
  • 13篇张法碧
  • 12篇肖功利
  • 12篇马磊
  • 11篇首照宇
  • 11篇李思敏
  • 10篇翟江辉
  • 8篇唐宁
  • 8篇蒋行国
  • 6篇吴笑峰
  • 6篇黄伟
  • 6篇吉宪
  • 3篇王盛凯
  • 3篇徐华蕊
  • 3篇刘洪刚
  • 3篇常虎东
  • 3篇孙兵

传媒

  • 3篇桂林电子科技...
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 12篇2017
  • 7篇2015
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件
本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10<Sup>13</Sup>cm<Sup>‑2</Sup>的高浓度固定电荷区；这些高...
李海鸥李琦翟江辉唐宁蒋行国李跃
文献传递
等间距固定电荷区SOI耐压结构及SOI功率器件
本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×10<Sup>13</Sup>cm<Sup>‑2</Sup>的高浓度固定电荷区；这些高浓度固...
李琦李海鸥翟江辉唐宁蒋行国李跃
文献传递
一种大面积转移制备纳米结构的方法
本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双...
孙堂友曹乐李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧李跃
文献传递
一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
李海鸥马磊李思敏首照宇李琦王盛凯陈永和张法碧肖功利傅涛李跃常虎东孙兵刘洪刚
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一种S波段宽带MMIC低噪声放大器
本实用新型提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和...
李海鸥李陈成徐华蕊李跃陈永和李琦张法碧傅涛孙堂友肖功利
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一种大面积转移制备纳米结构的方法
本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双...
孙堂友曹乐李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧李跃
文献传递
一种III-V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In<Sub>...
李海鸥马磊李思敏首照宇李琦王盛凯陈永和张法碧肖功利傅涛李跃常虎东孙兵刘洪刚
基于GaAs-0.25μm L波段高效率功率放大器设计被引量：2
2019年
针对功率放大器在宽频带范围内存在效率低、增益平坦度陡峭而导致导航定位系统能量利用率过低的问题,基于海威华芯0.25μm GaAs pHEMT工艺,利用负载牵引技术和LRC增益均衡结构,设计了一款高效率、平坦化高增益的单片微波集成(MMIC)功率放大器芯片。结果表明:在1475~1675MHz工作频带内,功率放大器的功率附加效率为55%~62.3%,增益平坦度为±0.29dB,同时其功率增益和输出功率分别达到32.65dB和33.5dBm。
谢仕锋李海鸥李跃李跃张法碧张法碧陈永和李琦李琦肖功利陈立强
关键词：MMIC开关模式功率附加效率
线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件
李海鸥李琦翟江辉唐宁蒋行国李跃
SOI(Silicon On Insulator，绝缘衬底上的硅)功率器件具有高的工作速度和集成度、可靠的绝缘性能、强的抗辐照能力以及无可控硅自锁效应，广泛用于电力电子、工业自动化、航空航天和武器装备等领域。SOI功率器...
关键词：
关键词：功率器件集成电路绝缘材料
等间距固定电荷SOI耐压结构及SOI功率器件
李琦李海鸥翟江辉唐宁蒋行国李跃
SOI(Silicon On Insulator，绝缘衬底上的硅)功率器件具有高的工作速度和集成度、可靠的绝缘性能、强的抗辐照能力以及无可控硅自锁效应，广泛用于电力电子、工业自动化、航空航天和武器装备等领域。SOI功率器...
关键词：
关键词：功率器件介质材料
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