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钟敏

作品数：19 被引量：3H指数：1
供职机构：渤海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省教育厅基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 9篇纳米
  • 7篇氮化
  • 7篇氮化铝
  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 5篇放电
  • 4篇纳米材料
  • 4篇纳米材料制备
  • 4篇放电过程
  • 4篇铜
  • 3篇毛绒
  • 3篇激光
  • 3篇薄膜太阳电池
  • 3篇硫
  • 3篇掺杂
  • 2篇电池制备
  • 2篇电阻
  • 2篇循环冷却水
  • 2篇氧化物材料
  • 2篇氧化镝

机构

  • 19篇渤海大学

作者

  • 19篇钟敏
  • 13篇王秋实
  • 6篇张伟
  • 6篇张丽娜
  • 5篇史力斌
  • 3篇朱革
  • 2篇吕航
  • 2篇王佳琪
  • 2篇苏适
  • 2篇陈双龙
  • 2篇谢永辉
  • 2篇张宇峰
  • 1篇王春杰
  • 1篇吴志颖
  • 1篇王月
  • 1篇陆晓东
  • 1篇王桂强
  • 1篇马晋文
  • 1篇邵珠峰
  • 1篇杨秀娟

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法
一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，属于太阳能电池制备领域，其具体步骤是：太阳电池的缓冲层采用不容易被硫化或硒化的氧化物材料，制备薄膜太阳电池吸收层之后，对透明导电层进行进一步的处理，采用方...
钟敏张宇峰王晓红
文献传递
化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜
2024年
碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI_(3)粉末作为蒸发源,O_(2)/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiOI薄膜的生长机理。结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系,具有高c轴取向的特点。c轴取向的薄膜平行于基底生长,其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关。当蒸发温度为370℃、沉积时间为20 min时,BiOI薄膜的晶化最好,透过率最低,缺陷最少。
徐玉琦李晴雯钟敏
关键词：光电材料化学气相沉积
一种三价铈掺杂氮化铝纳米带的制备方法
本发明的三价铈掺杂氮化铝纳米带的制备方法属于LED荧光粉和纳米材料制备的技术领域。本发明的方法有如下步骤：将Al粉与CeO<Sub>2</Sub>粉末按100：1～2的摩尔比例放入混料机中混合均匀，压成压块；将压块置于石...
王秋实张丽娜张伟吕航王春杰王月钟敏
文献传递
气相输运沉积制备c轴择优取向的碘化铋薄膜
2022年
铋基卤化物材料因其无毒和优良的光电性能而显示出巨大的应用潜力。BiI_(3)作为一种层状重金属半导体,已被用于X射线检测、γ射线检测和压力传感器等领域,最近其作为一种薄膜太阳能电池吸收材料备受关注。本文采用简单的气相输运沉积(VTD)法,以BiI_(3)晶体粉末作为蒸发源,在玻璃基底上得到高质量c轴择优取向的BiI_(3)薄膜。并通过研究蒸发源温度和沉积距离对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiI_(3)薄膜择优生长的机理。结果表明VTD法制备的BiI_(3)薄膜属于三斜晶系,其光学带隙为~1.8 eV。沉积温度对薄膜的择优取向有较大影响,在沉积温度低于270℃时,沉积的薄膜具有沿c轴择优取向生长的特点,超过此温度,c轴择优取向生长消失。在衬底温度为250℃、沉积距离为15 cm时制备的薄膜结晶性能最好,晶体形貌为片状八面体。
袁文宾钟敏
关键词：半导体
一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法
一种适用于superstrate结构薄膜太阳电池硫化或硒化的方法，属于太阳能电池制备领域，其具体步骤是：太阳电池的缓冲层采用不容易被硫化或硒化的氧化物材料，制备薄膜太阳电池吸收层之后，对透明导电层进行进一步的处理，采用方...
钟敏张宇峰王晓红
文献传递
硒化锌空心微米球的制备方法
本发明公开了一种硒化锌空心微米球的制备方法，其包括以下步骤：将硒粉、锌粉按摩尔比1：1比例混合均匀，压成密度为2~3g/cm<Sup>3</Sup>的混合粉的压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅...
王秋实钟敏谢永辉吕航李文君其他发明人请求不公开姓名
文献传递
一种高灵敏度光学测温材料及其制备方法
本发明公开了一种高灵敏度的光学测温材料及其制备方法，属于发光材料制备应用技术领域。其化学式为AlN:1mol％Yb<Sup>3+</Sup>,x mol％Nd<Sup>3+</Sup>,其中0.5≤x≤4，通过等离子体直...
王秋实王佳琪陈双龙苏适钟敏
铜锑硫薄膜太阳电池的数值模拟研究
2023年
用SCAPS构建了铜锑硫薄膜太阳电池模型,计算了器件的性能。分别研究了吸收层厚度、载流子浓度、缺陷密度和背电极功函数对器件性能的影响。结果表明,过薄的吸收层对绿光和红光吸收不充分,1.5~3μm厚的吸收层能满足光谱吸收要求。当受主浓度为2×10^(18)cm^(-3)时,器件光电转换效率最高。缺陷密度大于10^(-14)cm^(-3)时,器件的光电转换效率急剧降低。贫铜富硫气氛制备铜锑硫可以提高受主浓度,减小开路电压亏损,也可以抑制硫空位缺陷形成,从而提高器件的光电转换效率。功函数较高的材料能降低背电极势垒,减少载流子在背电极复合。材料参数优化后,器件的光电转换效率最高为21.74%。
佟蕾国嘉嵘李清苗佳怡李春然钟敏
关键词：薄膜太阳电池缺陷密度背电极
超细Si/SiO_x纳米线和纳米花等离子体辅助生长及光致发光
2016年
采用等离子体辅助直流弧光放电技术,以Si粉和SiO_2粉为反应原料,制备了不同形貌的超细Si/SiO_x纳米线和纳米花。通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散X射线光谱(EDS)对Si/SiO_x纳米线的形貌和组分进行表征与分析。Si/SiO_x纳米线紫外可见吸收光谱证实了样品的光学带隙为4.58 e V。Si/SiO_x纳米线光致发光光谱(PL)表明其在305 nm、495 nm处有较强的发光峰,具有良好的发光性能。
王秋实冯雅辉谢永辉钟敏张丽娜
关键词：弧光放电光致发光
飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究被引量：3
2017年
通过恒速移动线偏振飞秒激光焦点对非晶硅(a-Si)pin型薄膜太阳电池n型硅膜表面进行绒化刻蚀处理,形成不同周期间隔"凹槽"状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对刻蚀后薄膜表面形貌进行了表征,证实了刻蚀区域表面能够诱导晶态多孔微结构形成。比较了飞秒激光刻蚀前后a-Si太阳电池的光电转换效率(η)、开路电压、短路电流密度和填充因子。结果表明,当飞秒激光脉冲能量为0.75 J/cm^2、刻蚀周期间隔为15μm时,太阳电池光电转换效率达到14.9%,是未经过激光刻蚀处理电池光电转换效率的1.87倍。同时,反射吸收谱表明,电池表面多孔"光俘获"微结构的形成对其光电转换效率的提高起到了关键作用。
邵珠峰杨秀娟陆晓东钟敏
关键词：飞秒激光微纳加工刻蚀
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