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闫茜

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：天津市科技支撑计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 12篇电路
  • 12篇电路设计
  • 12篇传输门
  • 11篇抗辐射
  • 11篇集成电路
  • 11篇集成电路设计
  • 9篇锁存
  • 9篇锁存器
  • 8篇反相器
  • 6篇时域
  • 5篇单粒子
  • 5篇单粒子效应
  • 5篇辐射环境
  • 4篇触发器
  • 2篇多路
  • 2篇多路选择器
  • 2篇输入信号
  • 2篇图像
  • 2篇图像传感器
  • 2篇感器

机构

  • 15篇天津大学

作者

  • 15篇闫茜
  • 14篇徐江涛
  • 14篇高志远
  • 13篇姚素英
  • 12篇聂凯明
  • 12篇史再峰
  • 6篇高静
  • 2篇李新伟

传媒

  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 2篇2016
  • 8篇2015
  • 5篇2014
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
应用四输入保护门的抗辐射锁存器
本实用新型涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种可以应用于辐射环境下的锁存器，可以抵抗SEU和部分MBU。当锁存器的存储节点以及输入信号由于粒子轰击而发生双比特翻转时，该锁存器能够通过保护门泄放掉沉积在敏感节点上的电荷，...
姚素英闫茜聂凯明史再峰徐江涛高志远
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基于三输入保护门的抗辐射锁存器
本实用新型涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种能够抵抗多节点翻转的结构简单的锁存器，本实用新型采用的技术方案是，基于三输入保护门的抗辐射锁存器，由6个传输门TG1～6，3个反相器INV1～3，3个二输入保护门DIG1～...
徐江涛闫茜姚素英聂凯明史再峰高志远
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能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器
本发明涉及抗辐射集成电路设计领域，为提供可以应用于辐射环境下的触发器，为此，本发明采取的技术方案是，能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，包括5个传输门TG1’～TG5’、5个反相器INV1’～INV5’、3个...
聂凯明闫茜徐江涛史再峰高静高志远姚素英
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能够抵抗双节点翻转的触发器结构
本实用新型涉及集成电路中的抗辐射触发器，为提供一种能够抵抗双节点翻转的触发器结构，可以抵抗DNU。当触发器的存储节点由于重离子轰击而发生单粒子效应时，该触发器存储状态能够不发生改变，抵抗单节点翻转和双节点翻转。为此，本实...
姚素英闫茜徐江涛聂凯明史再峰高静高志远
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应用四输入保护门的抗辐射锁存器
本发明涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种可以应用于辐射环境下的锁存器，可以抵抗SEU和部分MBU。当锁存器的存储节点以及输入信号由于粒子轰击而发生双比特翻转时，该锁存器能够通过保护门泄放掉沉积在敏感节点上的电荷，从而...
姚素英闫茜聂凯明史再峰徐江涛高志远
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基于三输入保护门的抗辐射锁存器
本发明涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种能够抵抗多节点翻转的结构简单的锁存器，本发明采用的技术方案是，基于三输入保护门的抗辐射锁存器，由6个传输门TG1～6，3个反相器INV1～3，3个二输入保护门DIG1～3和一个...
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基于保护门的时域加固锁存器
本实用新型涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种设计加固的锁存器，能够抵抗多内部节点翻转，还可以抵抗输入端口及时钟线上的瞬时脉冲。为此，本实用新型采用的技术方案是，基于保护门的时域加固锁存器，由6个传输门TG1～6，3个...
徐江涛闫茜聂凯明姚素英史再峰高志远
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能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器
本实用新型涉及抗辐射集成电路设计领域，为提供可以应用于辐射环境下的触发器，为此，本实用新型采取的技术方案是，能够抵抗单粒子效应和双节点翻转的时域加固触发器，包括5个传输门TG1’～TG5’、5个反相器INV1’～INV5...
聂凯明闫茜徐江涛史再峰高静高志远姚素英
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基于保护门的时域加固锁存器
本发明涉及抗辐射集成电路设计领域。为提供一种设计加固的锁存器，能够抵抗多内部节点翻转，还可以抵抗输入端口及时钟线上的瞬时脉冲。为此，本发明采用的技术方案是，基于保护门的时域加固锁存器，由6个传输门TG1～6，3个反相器I...
徐江涛闫茜聂凯明姚素英史再峰高志远
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应用使能检测单元的抗辐射数字像素图像传感器
2016年
介绍了一种经过抗辐射设计加固的CMOS数字像素图像传感器,并提出了一种可以抵抗单粒子效应的使能检测单元。这个使能检测单元通过将信号传输给三个移位寄存器并判断寄存器输出是否一致来判断和屏蔽单粒子效应。实验结果表明:芯片的最大信噪比和动态范围分别是54.15 d B和56.10 d B,使能检测单元可以屏蔽单粒子效应。
闫茜姚素英高志远李新伟徐江涛
关键词：单粒子效应图像传感器
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共2页<12>
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