您的位置： 专家智库 > >

夏静

作品数：22 被引量：6H指数：2
供职机构：中国科学院理化技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：理学化学工程一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇纳米
  • 12篇单晶
  • 10篇自然降温
  • 9篇纳米片
  • 5篇光催化
  • 5篇催化
  • 4篇硫化
  • 4篇光电
  • 4篇ZNO单晶
  • 3篇等离激元
  • 3篇制氢
  • 3篇内压
  • 3篇气相沉积
  • 3篇热蒸发
  • 3篇硫化镉
  • 3篇活泼
  • 3篇机械泵
  • 3篇管式
  • 3篇管式炉
  • 3篇光催化制氢

机构

  • 22篇中国科学院

作者

  • 22篇孟祥敏
  • 22篇夏静
  • 16篇王磊
  • 13篇朱丹丹
  • 7篇黄奔
  • 6篇黄兴
  • 3篇李敬
  • 1篇方金云
  • 1篇王勐

传媒

  • 4篇影像科学与光...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 9篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种大面积单层和几层二硒化钼单晶片的制备方法
本发明公开了一种大面积单层和多层二硒化钼单晶片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)衬底的清洗；2)将衬底、三氧化钼粉末和硒粉放入反应炉中；3)给反应炉内抽真空，充入不活泼气体；4)反应炉内升温、反应、自然降温；取出衬底，...
孟祥敏夏静黄兴
文献传递
一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法
本发明公开一种二硫化锡单晶纳米片的制备方法，该方法包括如下步骤：1)将衬底放置于水平管式炉加热区下游区域；2)称量SnS2粉末，并置于耐高温容器中，然后将其放置在管式炉加热区；3)称量硫粉，并置于另一耐高温容器中，然后将...
孟祥敏夏静朱丹丹王磊黄奔
文献传递
一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片及其制备方法
本发明公开一种二维原子层厚度ZnO单晶纳米片，所述原子层厚度的ZnO纳米片是采用热蒸发法制备获得，相比于其它的ZnO纳米片，本发明的二维原子层厚度ZnO单晶纳米片厚度更薄、结晶性更好，更便于剥离使用。本发明还公开了二维原...
孟祥敏王磊黄兴夏静黄奔朱丹丹
文献传递
一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法
本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl<Sub>2</Sub>粉末、Se粉或...
孟祥敏朱丹丹夏静王磊李玄泽
文献传递
一种基于孔径型导电探针的超局域化光电流扫描成像系统
本发明公开了一种基于孔径型导电探针的超局域化光电流扫描成像系统，该系统将激光束通过空间光路耦合进导电探针的锥形孔内，照射到样品上，利用导电探针、与样品连接的外电极形成的导电通路，以接触模式进行扫描成像，获得样品的形貌和超...
李敬孟祥敏夏静方金云
文献传递
一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法
本发明公开一种硒化镉或硫化镉二维单晶纳米片的制备方法。该方法采用范德华外延生长技术制备CdSe或CdS二维单晶纳米片，此方法的特征是采用表面光滑且无化学悬键的云母片为衬底，以CdCl<Sub>2</Sub>粉末、Se粉或...
孟祥敏朱丹丹夏静王磊李玄泽
文献传递
一种利用螺旋外延生长制备金属性二维过渡金属硫族化合物的方法
本发明属于纳米半导体技术领域，具体涉及一种利用螺旋外延生长制备金属性二维过渡金属硫族化合物的方法，采用两步化学气相沉积法可控的螺旋外延生长金属性二维过渡金属硫族化合物，第一步以硫族粉末和金属氧化物为前驱体，氧化硅为衬底，...
孟祥敏乔沛宇夏静
一种可控制备正交相硫化亚锡二维单晶纳米片的方法
本发明公开一种可控制备正交相硫化亚锡(SnS)二维单晶纳米片的方法。该方法包括将衬底置于水平管式炉的加热中心下游，距离加热中心8-20cm，将SnS粉末放入耐高温容器中，将容器置于水平管式炉的加热中心；对管式炉抽真空，待...
孟祥敏夏静李玄泽朱丹丹王磊
文献传递
一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法
本发明公开一种ZnO单晶纳米管阵列的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将锌粉置于容器中，并将容器、衬底放入管式炉中；(2)对管式炉抽真空，充入压缩空气；(3)将管式炉升温，反应后自然降温；(4)取出衬底，衬底上生长物即...
孟祥敏王磊黄兴夏静
文献传递
一维硅纳米线的制备方法
本发明公开一种一维硅纳米线制备方法，该方法包括如下步骤：1)将SiO粉末放入耐热容器中，然后将所述耐热容器放置于密闭加热装置的加热区；2)将洁净的钼网放置于另一耐高温的容器中，然后将其放置在所述密闭加热装置的非加热区；3...
孟祥敏黄奔夏静王磊朱丹丹
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0