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孙庆波

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 6篇陶瓷
  • 6篇干压成型
  • 4篇氮化
  • 4篇多孔
  • 4篇多孔陶瓷
  • 4篇素坯
  • 4篇陶瓷材料
  • 4篇复相
  • 2篇氮化反应
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮气
  • 2篇多孔陶瓷材料
  • 2篇碳化硅
  • 2篇热绝缘材料
  • 2篇轴承
  • 2篇浆料
  • 2篇复合陶瓷
  • 2篇复合陶瓷材料
  • 2篇高纯
  • 2篇高纯氮

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇胡海龙
  • 6篇左开慧
  • 6篇夏咏锋
  • 6篇曾宇平
  • 6篇孙庆波
  • 6篇姚东旭

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并...
胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
文献传递
一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
本发明公开了一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法，所述方法包括浆料的制备、素坯的干压成型及对成型后坯体进行反应烧结和后烧结处理。利用本发明制备方法制得的氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的最大体密度可达2.9...
胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
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利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并...
胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
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一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
本发明公开了一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法，所述方法包括浆料的制备、素坯的干压成型及对成型后坯体进行反应烧结和后烧结处理。利用本发明制备方法制得的氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的最大体密度可达2.9...
胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
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氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干...
胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
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氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
本发明公开了一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干...
胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
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