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石龙强

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：华星光电技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电学性能
  • 2篇晶体管
  • 2篇半导体
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 2篇铟
  • 2篇镓
  • 1篇钝化
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇绝缘层

机构

  • 2篇华星光电技术...

作者

  • 2篇李文辉
  • 2篇曾志远
  • 2篇王宜凡
  • 2篇吕晓文
  • 2篇石龙强
  • 2篇张合静

传媒

  • 2篇2014中国...

年份

  • 2篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铟镓锌氧化物半导体器件开发
本论文探讨了不同铟镓锌氧化物半导体(IGZO)界面对氧化物半导体电特性的影响,并对其中界面较好有好的电特性的器件进行了信赖性测试.结果表明以SiOx-2为栅绝缘层(GI),IGZO沉积功率为6KW,600A制成的半导体层...
吕晓文苏智昱李文辉石龙强张合静曾志远王宜凡
关键词：电学性能栅绝缘层
文献传递
高性能氧化物半导体器件开发
本论文研究了不同膜质钝化保护层对IGZO电性的影响,并研究了器件的均一性与稳定性.实验结果表明,具有低速高质的钝化保护层器件具有良好的电性:Vth为-0.26V,载流子迁移率为8.6cm2/(V.s),S.S为0.56V...
李文辉苏智昱张合静吕晓文石龙强胡宇彤曾志远王宜凡
关键词：薄膜晶体管电学性能
文献传递
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共1页<1>
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