您的位置： 专家智库 > >

李翔

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 15篇激光
  • 15篇激光器
  • 7篇镀膜
  • 7篇砷化镓
  • 7篇腔面
  • 7篇腔面镀膜
  • 7篇阈值电流
  • 6篇湿法腐蚀
  • 6篇解理
  • 6篇衬底
  • 5篇刻蚀
  • 5篇发散角
  • 5篇干法刻蚀
  • 4篇带隙
  • 4篇砷化镓衬底
  • 4篇砷化镓激光器
  • 3篇氮化镓
  • 3篇氮化镓基激光...
  • 2篇电光
  • 2篇电光转换

机构

  • 17篇中国科学院

作者

  • 17篇赵德刚
  • 17篇李翔
  • 13篇陈平
  • 13篇江德生
  • 13篇刘宗顺
  • 13篇朱建军
  • 2篇何晓光
  • 2篇杨静
  • 2篇乐伶聪
  • 2篇李晓静
  • 2篇刘炜
  • 2篇赵丹梅

传媒

  • 2篇第十四届全国...

年份

  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种提高氮化镓基激光器性能的方法
本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法
一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
InGaN生长速率对InGaN/GaN多量子阱发光性能的影响
作为GaN基发光二极管和激光器的核心区域,InGaN/GaN多量子阱的发光性能一直是研究的焦点。事实上,尽管InGaN材料本身拥有较高的缺陷密度,其仍然具有较强的发光性能。
李翔赵德刚
关键词：INGAN/GAN多量子阱光致发光谱
提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法
一种提高量子阱载流子限制能力的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次制作n型限制层、下波导层、下n型掺杂层、量子阱有源区、上n型掺杂层、上波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将p型接触层和部分p型限制层...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
GaN基激光器微分电阻的研究
通过数字计算分析研究了CaN基激光器的微分电阻随电流的变化.首先,本文确认了微分电阻曲线中"kink",的存在,并给出了一个合理的解释.由于大多数人对于微分电阻解释的基础是肖克莱方程,但肖克莱方程是针...
李翔赵德刚
关键词：氮化镓基激光器电流特性极化效应
一种提高氮化镓基激光器性能的方法
本发明公开了一种氮化镓基激光器及其制备方法。所述方法包括以下步骤：步骤1：在氮化镓衬底上依次制作n型限制层、n型波导层、量子阱有源区、电子阻挡层、插入层、p型波导层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型接触层和P型限制...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法
一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层；步骤2：将P型...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法
本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
一种激光器及其制作方法
本发明提出了一种激光器及其制作方法。所述激光器包括：N型砷化镓衬底；N型覆盖层，制作N型砷化镓衬底正面；第一超晶格层，制作在N型覆盖层上；N型波导层，制作在超晶格层上；有源层，制作在N型波导层上；P型波导层，制作在有源层...
李翔赵德刚朱建军陈平刘宗顺江德生
文献传递
降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法
一种降低电子泄漏的砷化镓激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在砷化镓衬底依次外延生长N型限制层、N型波导层、量子阱有源区、P型波导层、窄带隙插入层、宽带隙插入层、P型限制层和P型接触层；步骤2：采用湿法腐蚀或干法刻蚀...
李翔赵德刚江德生刘宗顺陈平朱建军
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0