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王凤娟

作品数：102 被引量：0H指数：0
供职机构：西安理工大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 102篇中文专利

领域

  • 37篇电子电信
  • 8篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 52篇TSV
  • 36篇滤波器
  • 23篇电路
  • 22篇硅
  • 18篇通孔
  • 17篇硅衬底
  • 17篇衬底
  • 14篇电感
  • 13篇电容
  • 13篇波导
  • 12篇基片集成
  • 11篇电感器
  • 10篇谐振腔
  • 10篇基片集成波导
  • 10篇集成波导
  • 8篇硅基
  • 8篇SIW
  • 7篇定向耦合器
  • 7篇信号
  • 7篇耦合器

机构

  • 102篇西安理工大学

作者

  • 102篇王凤娟
  • 98篇余宁梅
  • 61篇杨媛
  • 7篇肖洒
  • 4篇王刚
  • 4篇张凯
  • 3篇刘静
  • 2篇刘江凡

年份

  • 2篇2024
  • 20篇2023
  • 23篇2022
  • 25篇2021
  • 10篇2020
  • 10篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2014
共 102 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三维集成低相位噪声压控振荡器
本发明公开了一种三维集成低相位噪声压控振荡器，包括电源，电源连接M1和M2的源极和衬底，M1的栅极与Lv1的输出端及C2的输入端连接，M2的栅极与Lv2的输出端以及C1的输入端连接，Vbias与Lv1和Lv2的输入端，M...
王凤娟陈佳俊文炳成余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
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一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器
本发明公开了一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，包括采用重布线层RDL技术制作的顶面金属和底面金属，顶面金属和底面金属之间通过侧壁金属连接，侧壁金属内部纵向安装有模片，侧壁金属和膜片整体镶嵌在高电阻率的半导体衬底中，顶...
王凤娟刘景亭余宁梅
文献传递
基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器及其制作方法
本发明公开了基于硅通孔阵列的三维高值集成电容器，包括半导体衬底，贯通半导体衬底的上下表面设置有若干个通孔，在通孔的内侧表面上设置有绝缘层，在通孔的绝缘层内填充有硅通孔金属；在半导体衬底的上表面设置有顶层介质，在半导体衬底...
王凤娟余宁梅
一种基于TSV变容管的压控振荡器
本发明公开了一种基于TSV变容管的压控振荡器，包括可变电感M1，PMOS1源极S1、衬底B1、PMOS2源极S2和衬底B2相连形成电源接入端，PMOS1漏极D1与PMOS2栅极G2、M1输入端Min1、C1输出端Cout...
王凤娟文炳成陈佳俊余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
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一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源
本发明提出一种具有失调消除以及非线性补偿的带隙基准电压源,包括带隙基准电压源，带隙基准电压源内设有带隙基准电压源电路，带隙基准电压源电路包括传统带隙电路、运放核心电路、负温度系数电流产生电路、非线性补偿产生电路、启动电路...
井凯霍煜飞贾杨鹏曹家博王凤娟
一种采用TSV技术的面对面结构小型化三维发夹滤波器
本发明公开了一种采用TSV技术的面对面结构小型化三维发夹滤波器，包括依次沿水平方向排布的第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔及第五谐振腔，第一谐振腔上连接有输入抽头馈线，第五谐振腔上连接有输出抽头馈线；输入抽头...
王凤娟柯磊卢颖余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
基于TSV的宽带双频Wilkinson功分器
本发明公开了一种基于TSV的宽带双频Wilkinson功分器，包括第一阶TSV电感组件，第一阶TSV电感组件通过第一阶电容组件连接第二阶TSV电感组件，第二阶电感组件还连接第二阶电容组件。本发明提供的结构既能减小功分器的...
王凤娟李瑞奇余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
一种基于PN结的硅通孔结构及其制作方法
本发明公开了基于PN结的硅通孔结构，从外到内依次设置为P型半导体衬底、N型掺杂层、介质层和金属柱，P型半导体衬底与N型掺杂层之间形成PN结空间电荷区，N型掺杂层、PN结空间电荷区及P型半导体衬底构成PN结。本发明还公开了...
王凤娟王刚余宁梅
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一种基于硅通孔技术的定向耦合器
本发明公开了一种基于硅通孔技术的定向耦合器，包括从上至下依次设置的上氧化层、硅衬底及下氧化层，硅衬底的中心处分别沿竖直方向设置有相互平行的TSV‑I和TSV‑II，TSV‑I的上下两端分别沿水平方向设置有上层RDL‑I和...
王凤娟肖洒余宁梅杨媛朱樟明尹湘坤
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一种通过STI减弱TSV热应力的方法
本发明公开了一种通过STI减弱TSV热应力的方法，包括在硅通孔周围的硅衬底上划分出阻止区，阻止区上不设计对应力敏感的器件，在阻止区上生长一层Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>和缓冲SiO<Sub>2<...
王凤娟屈晓庆余宁梅
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