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崔红卫: 作品数：10 被引量：43H指数：4; 供职机构：延安大学物理与电子信息学院更多>>; 发文基金：陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目博士科研启动基金更多>>; 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

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Sb掺杂SnO_2的电学性质和光学性质密度泛函理论研究（英文）被引量：4: 2015年; 基于平面波赝势密度泛函理论,采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb掺杂Sn O2的电子结构和光学性质。计算结果表明,与本征Sn O2比较,Sb掺杂Sn O2的性质,包括能带结构、态密度、电荷密度及光学性质等均随Sb的掺杂浓度变化。Sb掺杂相比本征Sn O2的带隙要窄,带隙随Sb掺杂浓度的增加逐渐变窄,并且浅施主杂质能级逐渐远离导带底。Sb掺杂改变了Sn O2可成键性质,随着掺杂浓度的增加,共价性减弱,金属性增强。光学性质计算结果显示随着掺杂浓度的增加,态密度和介电函数虚部向低能方向移动,发生了明显的红移现象,这从理论上揭示了电子结构和光学性质之间的内在关系。; 邵婷婷张富春崔红卫; 关键词：SNO2 密度泛函理论电学性质光学性质

La,Ce,Nd掺杂SnO_2的电子结构和光学性质密度泛函理论研究（英文）被引量：2: 2015年; 基于平面波赝势密度泛函理论,研究了La,Ce,Nd掺杂SnO2的电子结构和光学性质。计算结果表明,La附近的键长变化最大,而Nd附近的键长变化最小,这表明稀土掺杂SnO2引起的晶格畸变与掺杂原子的共价半径大小有关。能带结构表明,稀土掺杂可使SnO2的带隙变窄。La掺杂相比较本征SnO2,带隙减小了0.892 e V,Nd掺杂在SnO2的禁带中引入了3个能级。差分电荷密度分析表明,稀土掺杂使SnO2的电子重新分配且由于f电子的存在使其离子性增强。La原子失电子最多,Nd原子失电子最少,这和计算的能带结果是一致的。光学性质表明,介电函数的虚部和吸收函数因稀土掺杂出现了不同程度的红移,这和计算的能带结果非常吻合。; 邵婷婷张富春崔红卫; 关键词：SNO2 稀土掺杂密度泛函理论

CoSi_2合金电子结构和光学性质的理论研究: 2015年; 采用基于密度泛函理论框架的第一性原理计算方法,利用LSDA+U方法计算了CoSi2合金材料的电子结构和光学性质。计算结果表明,CoSi2合金能带结构的导带和价带在费米能级附近存在明显的交叠,表现出半金属特性。随着U值的增加,费米能级处的能级逐渐分裂,导带部分和价带部分分别向高能和低能方向移动,当U=8时,CoSi2合金出现自旋劈裂现象。电荷密度计算结果显示Co—Si键是一种以共价键为主且含有部分离子键成分的混合价合金材料,载流子具有明显的由Si原子向Co原子的电荷转移特性。光学吸收谱分析表明,随着U值的增大,CoSi2材料的吸收峰发生蓝移现象,吸收峰强度逐渐减弱。这些结果表明,CoSi2合金材料是一种很好的具有一定发光性能的热电材料。; 张富春崔红卫杨延宁张威虎; 关键词：电子结构光学性质

纳米金刚石掺混纳米氧化锌的场发射特性被引量：7: 2015年; 利用水热法制备了菊花状的氧化锌纳米棒,并进行表征,将纳米氧化锌掺入纳米金刚石中配制成电泳液,超声分散后电泳沉积到钛衬底上,再经热处理后进行场发射特性的测试.结果表明：未掺混的金刚石阴极样品的开启电场为7.3V/μm,在20V/μm的电场下,场发射电流密度为81μA/cm2;掺混后阴极样品的场发射开启电场降低到4.7-6.0V/μm,在20V/μm电场下,场发射电流密度提高到140-158μA/cm2.原因是纳米ZnO掺入后,增强了涂层的电子输运能力、增加了有效发射体数目,提高了场增强因子β,而金刚石保证了热处理后涂层与衬底的良好键合,形成了欧姆接触,降低了场发射电流的热效应.场发射电流的稳定性随掺混ZnO量的增加而下降,要兼顾场发射电流密度及其稳定性,适量掺入ZnO可有效提高纳米金刚石的场发射性能.; 杨延宁张志勇闫军锋李伟霞张富春刘巧平崔红卫; 关键词：场发射特性水热法纳米金刚石氧化锌纳米棒掺混

ZnO[0001]表面及其氢吸附性能的第一性原理研究: 2015年; 采用密度泛函理框架下的第一性原理方法,计算了ZnO[0001]两种富裕表面吸附H的电子态密度和吸附能,探究了电子态密度和吸附能随表面厚度变化规律。结果表明,对于Zn富裕和O富裕的表面,随着表面层数的增加,费米能级附近的电子态密度变化很小,说明在一定范围内,增加吸附表面的厚度,对吸附性能的改善很小。Zn富裕表面吸附氢后,电子态密度主峰约向低能方向移动1eV,而强度变化不明显。而对于O富裕的表面,吸附H后,费米能级附近的电子态密度发生明显变化,导电能力增强,说明O富裕的表面对H具有较强的吸附能力。吸附能与层数之间的关系曲线表明:对于Zn富裕的表面,随着层数的增加,吸附能变化较小,分别为-0.37374eV和-0.37488eV,而O富裕的表面,吸附能变化较明显,从-0.32806eV到-0.48497eV,说明O富裕的表面,随着表面层数的增加,对H的吸附能力增强。; 崔红卫张富春邵婷婷杨延宁; 关键词：第一性原理晶面氢气

钛基底的纳米金刚石掺混纳米碳管的场发射特性被引量：12: 2015年; 在纳米金刚石场发射的基础上,研究了纳米金刚石掺混纳米碳管的场发射特性。采用电泳沉积法形成了纳米金刚石与纳米碳管的复合涂层,经热处理后制备出阴极样品,然后进行微观表征,再进行场发射特性测试与发光测试。结果表明,与未掺混的纳米金刚石阴极样品相比,复合涂层阴极样品的场发射开启电场明显减小,场发射电流提高,在较低的电场下阳极表面荧光粉就可以发光,但发光不均匀,出现了"边沿发光"的现象。分析了纳米金刚石掺混纳米碳管场发射性能提高的机理,是由于纳米碳管掺入之后,涂层的电子输运能力得到增强,涂层中有效发射体的数目增加。最后,解释了"边沿发光"现象的成因。; 刘巧平李伟霞杨延宁张志勇翟春雪崔红卫; 关键词：纳米金刚石纳米碳管场发射电泳沉积

Co掺杂闪锌矿ZnO的磁性和光学性质被引量：2: 2015年; 采用自旋极化密度泛函理论方法对Co掺杂闪锌矿Zn O的能带结构、态密度、磁学和光学属性进行了研究。计算结果显示:Co掺杂闪锌矿Zn O的基态是反铁磁态,具有金属性特征;而铁磁态具有半金属性特征。铁磁耦合在费米能级附近出现了明显的自旋劈裂现象,表现出明显的不对称性和强烈的Co 3d和O 2p杂化效应。磁矩主要来源于Co 3d轨道电子以及部分近邻耦合的O 2p轨道电子,大小与Co原子的掺杂位置有关。光学性质计算结果显示,Co掺杂闪锌矿Zn O在可见光范围内都有较强的光吸收能力,吸收峰在高能区发生了红移现象。理论计算结果表明,Co掺杂闪锌矿Zn O或许是一种优异的磁光材料。; 张富春崔红卫; 关键词：CO掺杂光学性质

GaN电子结构与光学性质的第一原理研究被引量：4: 2016年; 采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质.计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.; 黄保瑞张富春崔红卫; 关键词：电子结构密度泛函光学性质

CoSi合金的磁性和光学性质的第一性原理研究被引量：1: 2016年; 采用第一性原理的局域自旋密度近似和在位库伦能修正(LSDA+U)的计算方法,结合广义梯度近似下的赝势平面波方法,计算了CoSi合金的磁性和光学性质。计算结果显示在费米能级附近,CoSi合金的上自旋能级与下自旋能级相互交叠,出现了明显的自旋极化现象,并且自旋态密度都穿过费米能级,表明CoSi合金具有金属特征。磁性计算结果表明CoSi合金具有铁磁性,磁性主要来源于Co原子3d轨道电子的贡献。特别是采用LSDA+U修正方法发现,当位库伦修正值增加到6.6eV时,CoSi合金体系的几何参数与实验值完全吻合,表明位库仑能U值的大小对CoSi合金的原子磁矩以及磁性原子的能级分布影响较大。同时,光学吸收谱计算结果表明,随着位库仑能U值的增大,CoSi合金的吸收峰在低能区发生红移,在高能区发生蓝移。以上结果表明,CoSi合金是一种很好的磁光导电材料。; 崔红卫张富春杨延宁张威虎; 关键词：局域自旋密度近似磁性光学性质

Sn掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理研究被引量：14: 2016年; 采用密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,利用广义梯度近似和Perdew-Burke-Ernzerdorf泛函,计算了不同Sn掺杂浓度下SZO(Sn∶ZnO)体系的电子结构与光学性质.研究了Sn掺杂浓度对SZO(Sn∶ZnO)的晶体结构、能带结构、电子态密度及光学性质的影响,并结合计算的能带结构和差分电荷密度对比分析了掺杂位置对计算结果的影响.研究结果表明,随着Sn掺杂浓度的增加,晶格常数c与a的比值变化很小,掺杂后晶胞没有发生畸变.掺杂体系的能量逐渐增大,稳定性减弱,且随着掺杂浓度的增加,带隙呈现先减小后增大的变化规律.掺杂后的SZO(Sn∶ZnO)成为间接带隙半导体,在导带底部附近出现了大量Sn原子贡献的导电载流子,明显提高了掺杂体系的电导率,并在费米能级附近与价带顶部之间出现一条由Sn原子贡献的杂质能级,能带结构呈现半填满状态,价带部分的电子态密度峰值向低能方向移动约1.5eV.同层掺杂的电子得失程度较大,带隙比相邻层掺杂和隔层掺杂时小.掺杂后吸收带边发生红移,材料对紫外光的吸收能力明显增强,介电常数虚部增大,主要跃迁峰向高能方向移动.计算结果表明SZO(Sn∶ZnO)是一种优良的透明导电薄膜材料.; 崔红卫张富春邵婷婷; 关键词：透明导电氧化物薄膜第一性原理电子结构光学性质

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