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金林
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9
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供职机构:
中国电子科技集团公司第三十八研究所
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
王秋实
中国电子科技集团公司第三十八研...
李寅寅
中国电子科技集团公司第三十八研...
陈林林
中国电子科技集团公司第三十八研...
高艳丽
中国电子科技集团公司第三十八研...
孟少鹏
中国电子科技集团公司第三十八研...
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2023
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一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路及其自刷新方法
本发明涉及一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路,包括定时计数器、刷新控制器和刷新地址计数器,定时计数器的输出端与刷新控制器的输入端相连,外接外部信号的刷新控制器的输出端与刷新地址计数器的输入端相连,刷新地址计数器的输...
李寅寅
王秋实
金林
郭二辉
一种电子雷管直流载波通信电路
本实用新型涉及一种电子雷管直流载波通信电路,包括调制器,其输入端与数字基带电路的输出端相连,其输出端通过MOS管M1与整流桥的输入端相连,整流桥通过线缆与起爆器双向通讯,整流桥的输出端与解调器的输入端相连,解调器的输出端...
郭锐
高艳丽
陈林林
金林
付秀兰
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一种电子雷管直流载波通信电路
本发明涉及一种电子雷管直流载波通信电路,包括调制器,其输入端与数字基带电路的输出端相连,其输出端通过MOS管M1与整流桥的输入端相连,整流桥通过线缆与起爆器双向通讯,整流桥的输出端与解调器的输入端相连,解调器的输出端与数...
郭锐
高艳丽
陈林林
金林
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适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片后端物理设计方法
一种适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片物理设计方法,包括:步骤1:数据准备;步骤2:布局;步骤3:标准单元放置;步骤4:时钟树综合;步骤5:绕线;步骤6:物理设计检查;步骤7:流片,步骤2中,存储器IP模块布局的原则是...
王秋实
金林
李寅寅
孟少鹏
刘冠男
文献传递
一种基于门控技术的处理器时钟树架构及构建方法
一种基于门控技术的处理器时钟树架构,所述时钟树架构包括局部时钟树、全局时钟网格和顶层链;所述局部时钟树包括根据处理器的每一个运算宏的具体分布位置配置的与运算宏相对应的门控时钟节点,以及用于控制所述门控时钟节点的相应门控时...
张杰
金林
王秋实
赵斌
孟少鹏
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刘小明
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一种电子雷管直流载波通信电路
本发明涉及一种电子雷管直流载波通信电路,包括调制器,其输入端与数字基带电路的输出端相连,其输出端通过MOS管M1与整流桥的输入端相连,整流桥通过线缆与起爆器双向通讯,整流桥的输出端与解调器的输入端相连,解调器的输出端与数...
郭锐
高艳丽
陈林林
金林
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一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路及其自刷新方法
本发明涉及一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路,包括定时计数器、刷新控制器和刷新地址计数器,定时计数器的输出端与刷新控制器的输入端相连,外接外部信号的刷新控制器的输出端与刷新地址计数器的输入端相连,刷新地址计数器的输...
李寅寅
王秋实
金林
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适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片后端物理设计方法
一种适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片物理设计方法,包括:步骤1:数据准备;步骤2:布局;步骤3:标准单元放置;步骤4:时钟树综合;步骤5:绕线;步骤6:物理设计检查;步骤7:流片,步骤2中,存储器IP模块布局的原则是...
王秋实
金林
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一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路
本实用新型涉及一种高可利用率抗辐射的SRAM自刷新电路,包括定时计数器、刷新控制器和刷新地址计数器,定时计数器的输出端与刷新控制器的输入端相连,外接外部信号的刷新控制器的输出端与刷新地址计数器的输入端相连,刷新地址计数器...
李寅寅
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