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陈思

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇信号
  • 2篇故障判断
  • 2篇故障位置
  • 2篇测试电路
  • 2篇测试信号
  • 2篇存储器
  • 1篇电阻
  • 1篇软故障
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇漂移
  • 1篇蒙特卡罗
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇凹陷
  • 1篇SOI器件
  • 1篇串联电阻

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇陈思
  • 2篇李崇仁
  • 2篇崔小乐

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2013
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
存储器的测试电路及方法
本申请公开了一种存储器的测试电路及方法，测试信号写入被测存储列后，执行器读取被测存储列中的数据，在读取操作中，引入单元将反映被测存储列上电流大小的电压信号引入振荡环，振荡环的工作频率会受被测存储列上电流大小影响，通过读取...
崔小乐陈思李崇仁
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存储器的测试电路及方法
本申请公开了一种存储器的测试电路及方法，测试信号写入被测存储列后，执行器读取被测存储列中的数据，在读取操作中，引入单元将反映被测存储列上电流大小的电压信号引入振荡环，振荡环的工作频率会受被测存储列上电流大小影响，通过读取...
崔小乐陈思李崇仁
文献传递
抬高和凹陷源漏结构UTB SOI器件的输运特性研究
已有的研究结果表明，抬高源漏和凹陷源漏结构对于减小UTB SOI器件串联电阻有较好效果，但对这两种结构中开态下载流子输运影响的研究很少。本文采用全能带蒙特卡罗器件模拟方法对抬高源漏和凹陷源漏结构的UTB SOI开态情况下...
陈思竺明达杜刚
关键词：输运特性串联电阻蒙特卡罗绝缘体上硅
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