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程娇

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：东北师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶材料
  • 2篇导电
  • 2篇电极
  • 2篇纳米带
  • 2篇晶体管
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇氧化锡
  • 1篇纳米线
  • 1篇锑
  • 1篇掺杂

机构

  • 3篇东北师范大学

作者

  • 3篇程娇
  • 2篇裴腾飞
  • 2篇汤庆鑫
  • 2篇童艳红
  • 2篇蔡彬

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源...
童艳红汤庆鑫蔡彬裴腾飞程娇
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SnO2纳米线的生长及其电学性质的研究
一维氧化锡（SnO2）纳米线/带有较高的比表面积、迁移率及良好的气敏性，被广泛的应用在气体传感领域。由于结晶性好、缺陷少的SnO2纳米线/带有较高的迁移率，可以使器件获得很好的性能，Sb的掺杂对SnO2纳米带的电阻率有较...
程娇
关键词：纳米线氧化锡锑掺杂
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基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种基于导电纳米带电极的微纳单晶场效应晶体管，由作为栅极的衬底、位于衬底上的绝缘层，位于绝缘层上的源电极和漏电极，源漏电极之间的半导体微纳单晶组成，其特征在于：源电极和漏电极之间放置有一半导体微纳单晶材料，与源...
童艳红汤庆鑫蔡彬裴腾飞程娇
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