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张万里

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇单粒子
  • 4篇单粒子效应
  • 4篇沟道
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电荷量
  • 2篇电路
  • 2篇读写
  • 2篇读写器
  • 2篇双模
  • 2篇瞬态
  • 2篇瞬态电压
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇相位
  • 2篇相位检测
  • 2篇逻辑功能
  • 2篇解码
  • 2篇解码器

机构

  • 8篇湘潭大学

作者

  • 8篇张万里
  • 7篇唐明华
  • 4篇燕少安
  • 2篇肖永光
  • 2篇徐新宇
  • 2篇陈毅华

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏...
唐明华徐新宇燕少安张万里
文献传递
一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏...
唐明华徐新宇燕少安张万里
一种双模UHF-RFID读写器的解码器及解码方法
本发明公开了一种双模UHF‑RFID读写器的解码方法，包括以下步骤：步骤一：选择解码方式和标准模式；步骤二：通过解码时钟生成器和映射序列存储区，判断导引头是否同步，生成解码时钟；步骤三：进行解码处理，得到解码数据，并且进...
唐明华许玉淇肖永光张万里
文献传递
钕锰共掺的钛酸铋铁电薄膜的性能调控及其极化翻转疲劳机理研究
BIT(Bi4Ti3O12)系铋层状铁电薄膜以其居里温度高、剩余极化大和抗疲劳特性好而成为替代商业PZT((Pb, Zr)TiO3)铁电存储器芯片最具潜力的铁电材料之一。由于BIT系铋层状薄膜晶胞的各向异性，其极化方向更...
张万里
关键词：肖特基势垒电子注入
一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路
本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连，第一...
唐明华陈毅华燕少安张万里
文献传递
一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路
本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连，第一...
唐明华陈毅华燕少安张万里
文献传递
顶部缓冲层Bi4Ti3O12对Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12铁电薄膜的结晶度及电学性能的改善
采用溶胶-凝胶方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了以Bi4Ti3O12(BTO)为顶部缓冲层的高(117)晶粒取向的Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12(BNTM)铁电薄膜....
张万里唐明华熊颖宋志伟
关键词：铁电材料溶胶-凝胶结晶度
一种双模UHF‑RFID读写器的解码器及解码方法
本发明公开了一种双模UHF‑RFID读写器的解码方法，包括以下步骤：步骤一：选择解码方式和标准模式；步骤二：通过解码时钟生成器和映射序列存储区，判断导引头是否同步，生成解码时钟；步骤三：进行解码处理，得到解码数据，并且进...
唐明华许玉淇肖永光张万里
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