杨峰
- 作品数：9 被引量：22H指数：2
- 供职机构：安徽师范大学物理与电子信息学院物理系更多>>
- 发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省高等学校质量工程教学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- NaF晶体中电荷补偿掺杂Ce^3＋离子光谱性质的从头算
- 2014年
- 用从头算研究NaF晶体中Ce^3＋占据Na＋格位时的光谱性质，电荷补偿由占据格位第一配位壳层的两个氟原子被氧取代 （OF＇） 或第二配位壳层的两个Na空位（Na＇） 来提供. 首先采用基于DFT的超单胞模型方法优化了Ce^3＋的局域结构，并构造以Ce为中心的镶嵌团簇，对其进行基于波函数理论的CASSCF/CASPT2/RASSI-SO计算，获得Ce^3＋的4f1和5d1组态分裂能级能量. 通过将4f→5d跃迁能量计算值与低温实验激发光谱比较，发现实验观测到的最低4f→5d跃迁谱带（390 nm）来自于两个最近邻OF＇补偿的Ce^3＋离子，并不是文献中的两个次近邻VNa＇ 补偿的Ce^3＋. 最后从5d1组态能级重心位移和晶场分裂两方面分析了由两个最近邻OF＇取代造成最低4f→5d 跃迁红移约8000 cm-1的原因.
- 马乃玉杨峰沈先春黄玉成宁利新
- 关键词：从头算局域结构
- 对一道带电粒子运动试题的探讨
- 2012年
- 2011年安徽省高考理综试卷中选择题对考生的基本功要求较高,整体水平很高,仅个别题目可以进一步完善,通过分析选择题第20题可得出:原题中带正电粒子"被固定在两板的正中间P处"的条件似乎多余,如果在题目中增加"粒子距A板足够远"后,题目会变得很完美。
- 朱向冰叶贵杨峰
- 关键词：高考理综试卷选择题带电粒子
- 固体碳薄膜中布基管的分形生长
- 1995年
- 在氩、氮气氛下，采用直流弧光放电在，（ＩＴＯ）透明导电玻璃上沉积出碳薄膜，用电子显微镜（ＳＥＭ）和激光拉曼谱（ＲＡＭＡＮ）分析证实，该膜中含有大量布基管结构及自相似分形生长，称为布基树晶格植物结构。为实验研究布基膜及分形理论提供了新的实验依据和结果。
- 周之斌陈士超张立昆杨峰张亚增
- 关键词：布基管
- 电子技术课程设计的建设和改革实践
- 本文围绕电子技术课程设计的建设与改革实践,重点介绍了课程设计的目的以及进行建设和改革的背景,从课程体系,教学内容、方法和手段,组织过程等方面,深入探讨了电子技术课程设计的建设和改革。几年来的教学实践结果表明,建设和改革后...
- 陶文海王元航喻其山杨峰
- 关键词：《电子技术》课程设计教学实践
- 文献传递
- 电子技术课程设计的建设和改革实践
- 本文围绕电子技术课程设计的建设与改革实践,重点介绍了课程设计的目的以及进行建设和改革的背景,从课程体系,教学内容、方法和手段,组织过程等方面,深入探讨了电子技术课程设计的建设和改革。几年来的教学实践结果表明,建设和改革后...
- 陶文海王元航喻其山杨峰
- 关键词：电子技术课程设计
- 文献传递
- STC单片机AD转换及EEPROM使用被引量：12
- 2011年
- 本文总结介绍了STC单片机AD转换及EEPROM功能的使用,它以设计"自适应LED背光模块"为基础,结合实际制作中的问题及体会,参考相关文献,对AD转换、EEPROM的原理、结构及使用方法作了深入的总结和分析,旨在为后续研究设计提供参考。
- 杨峰胡彬罗青青
- 关键词：STC单片机AD转换EEPROM
- He-LiH势能面的ab initio计算被引量：8
- 2004年
- 采用超分子耦合簇理论CCSD(T)方法和由键函数3s3p2d1f组成的大基组,计算得到了He-LiH体系在冻结LiH键长情况下的全程势能面.该势能面存在2个势阱,较深的势阱对应于线性He-LiH构型,其中Rm为4.25a0,阱深为177.53cm-1,较浅的势阱对应于线性He-HLi构型,其中Rm为9.875a0,阱深仅为9.90cm-1,整个势能面表现强的各向异性.
- 黄武英凤尔银杨峰董书宝
- 关键词：CCSD(T)稀有气体原子分子间弱相互作用
- 测量灯罩表面污染程度的电路设计
- 2013年
- 本文介绍了一种测量灯罩污染程度的电路。信号发生器产生PWM信号给驱动LED的电路,紫外LED灯发出紫外光照到车灯灯罩上,灯罩散射回来的光由滤光片滤除干扰光后,由光电二极管接收并将光强转换成电信号,该电信号送至放大电路,放大电路输出的电压传至选频电路,选出的电信号由整流滤波电路转换成直流电压,该直流电压送至电压比较器,并与电压比较器的阈值比较。当灯罩污染达到一定程度时,电压比较器输出高电平,启动车灯清洗器,清洗干净后,自动关闭清洗器。本设计的目的在于既能保持车灯表面清洁,又能减少对灯罩不必要的清洗,延长清洗器的寿命。
- 杨峰马书芳朱向冰
- 关键词：污染程度驱动电路紫外光电压比较器
- 硼离子掺杂类金刚石薄膜及 C（B）／n-Si 异质结光伏特性被引量：2
- 1996年
- 采用直流弧光放电等离子ＰＣＶＤ法，沉积获得硼掺杂类金刚石薄膜，该材料ｐ型半导体，电阻率５—１０Ωｃｍ。俄歇（Ａｕｇｅｒ）电子能谱测试表明，硼离子含量为０．８％，由扫描电镜（ＳＥＭ）和激光喇曼（Ｒａｍａｎ）谱分析可知，薄膜以非晶为主，观察到许多线径为０．５—１．０μｍ的金刚石结晶微粒。制备成Ａｕ／Ｃ（Ｂ）／ｎ－Ｓｉ异质结，其开路电压Ｖｏｃ＝５８０ｍＶ，短路电流密度为６５０μＡｃｍ－２，获得暗Ｉ－Ｖ整流特性和光照Ｉ－Ｖ工作曲线。
- 周之斌杜先智张亚增杨峰崔容强
- 关键词：类金刚石薄膜异质结光伏特性
