杨武庆
- 作品数：1 被引量：6H指数：1
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室更多>>
- 发文基金：重庆市自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 新型稀磁半导体Cu掺杂LiMgN的电子结构和光学性质被引量：6
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强.
- 邓军权毋志民杨武庆崔玉亭胡爱元赵若禺王敏娣
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
