您的位置: 专家智库 > >

刘虹霞

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:云南师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:理学电气工程化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电传输特性
  • 3篇SN
  • 2篇单晶
  • 2篇II型
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电热
  • 1篇电热丝
  • 1篇电源
  • 1篇电子产品
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇熔剂法
  • 1篇溶剂法
  • 1篇溶剂含量
  • 1篇手套
  • 1篇手心

机构

  • 6篇云南师范大学
  • 1篇云南开放大学

作者

  • 6篇刘虹霞
  • 5篇邓书康
  • 3篇申兰先
  • 2篇王劲松
  • 2篇程峰
  • 1篇侯德东
  • 1篇刘祖明
  • 1篇李德聪
  • 1篇董国俊
  • 1篇翟立军
  • 1篇李明
  • 1篇杨晓坤
  • 1篇邓书平

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
β-Zn4Sb3单晶热电材料的制备、电传输特性及抗氧化性研究
热电材料由于其独特的性能来实现热与电之间的转换包括热发电和制冷,已经成为一种有希望的功能材料。高成本和低的热电转换效率长期限制了热电材料的广泛应用。具有低热导率并且由相对便宜和无毒元素构成的β-ZnSb化合物被认为是一种...
刘虹霞
关键词:熔剂法电传输特性热电材料热稳定性抗氧化性
文献传递
Ge覆盖层诱导晶化多晶Si薄膜的晶化特性研究被引量:1
2015年
采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜,并于500℃、600℃、700℃真空退火5 h。采用Raman散射、X射线衍射(XRD)、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究。结果表明,Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用,且随着退火温度的升高a-Si薄膜晶化越显著。具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5 h沿Si(400)方向开始晶化,对应晶粒尺寸约为4.9 nm。将退火温度升高到700℃时,非晶硅薄膜几乎全部晶化,晶化多晶Si薄膜在Si(400)方向表现出很强的择优取向特性,晶粒尺寸高达23.3μm。与相同条件下制备的无Ge覆盖层的非晶Si薄膜相比,晶化温度降低了300℃。
邓书康董国俊杨晓坤刘虹霞侯德东李明
关键词:多晶硅薄膜电子束蒸发非晶硅
一种多功能手套
本实用新型涉及一种多功能手套,包括手套本体,其特征在于手套本体内部依次布置的温度传感器、电源输出口、锂电池、输入口、控制器、电热丝,其中控制器分别与温度传感器、电源输出口、锂电池、输入口、电热丝相连接,所述的控制器用于控...
邓书康刘虹霞邓书平翟立军
文献传递
灰锡自溶剂法Ba/Eu复合填充Ⅷ型Sn基单晶笼合物的制备及电传输特性
2016年
采用灰锡自溶剂法制备Ⅷ型Sn基单晶笼合物,并通过Eu对其进行掺杂。研究表明所制备样品均为空间群为I43m的p型Ⅷ型Sn基单晶笼合物,Eu原子趋于取代Ba原子,且随着Eu元素起始含量的增加,材料晶格常数减小,熔点升高,较低的载流子浓度与较高的载流子迁移率使得材料Seebeck系数与电导率都有所提升,Eu起始含量x=0.50的样品其ZT值在480 K处获得最大值0.87。
程峰王劲松刘虹霞申兰先邓书康
I型和VIII型Sr填充Si基、Ge基、Sn基笼合物电子结构的第一性原理研究被引量:1
2015年
第一性原理是根据原子核和电子互相作用的原理及其基本运动规律,运用量子力学原理,从具体要求出发经过一些近似处理后直接求解薛定谔方程的算法。本文采用第一性计算原理计算Ⅰ-型和Ⅷ-型Sr填充Si基、Ge基、Sn基笼合物的结构和性质,研究不同基团对笼合物结构与电传输特性的影响。结果表明:Sr_8Ga_(16)Si_(30)、Sr_8Ga_(16)Ge_(30)、Sr_8Ga_(16)Sn_(30)都是间接带隙半导体,Sr_8Ga_(16)Sn_(30)的带隙最小且体模量最大,Sr_8Ga_(16)Sn_(30)带边结构的不对称性说明Sr_8Ga_(16)Sn_(30)的热电性能性能可能优于Sr_8Ga_(16)Si_(30)、Sr_8Ga_(16)Ge_(30),而引起材料结构性质差别主要为框架原子Sn、Ge、Si原子电子分布作用的结果。
程峰王劲松刘虹霞申兰先邓书康
关键词:第一性原理
Sn自溶剂含量对Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物电传输特性的影响被引量:1
2015年
通过Sn自熔剂法制备了Al掺杂VIII型Sn基单晶笼合物Ba8Ga10Al6Snx(x=40,50,60;Sn40,Sn50,Sn60),并研究Ba8Ga10Al6Snx单晶笼合物的结构和电传输特性对自熔剂Sn初始含量的依赖性。结果表明,Al的实际含量随Sn自熔剂含量的增加而基本保持不变,说明Sn的起始含量对Al在该笼合物中固溶度的影响较小;室温下Sn60样品的载流子浓度较高,这可能是因Al在笼合物Ga8Ga16Sn30中的占位不同而导致费米能级附近能带色散关系发生变化所引起;另一方面,在300~600 K的温度范围内,获得较高功率因子的是Sn初始含量为50的样品,在488 K处获得最大值1.82×10-3W·m-1·K-2;获得较低功率因子的是Sn初始含量为40的样品,而功率因子较低主要是由于该样品电导率较低。
申兰先李德聪刘虹霞刘祖明邓书康
关键词:电传输特性
共1页<1>
聚类工具0