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程超

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：哈尔滨工程大学更多>>
相关领域：航空宇航科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 4篇导电类型
  • 3篇槽栅
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇低导通电阻
  • 2篇电子系统
  • 2篇电阻
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇阻挡层
  • 2篇外延层
  • 2篇晶体管
  • 2篇控制器
  • 2篇控制器件
  • 2篇扩散阻挡层
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇沟槽
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件

机构

  • 6篇哈尔滨工程大...

作者

  • 6篇程超
  • 4篇曹菲
  • 4篇王颖

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
具有低导通电阻的沟槽DMOS器件
本发明提供的是一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层和位于其上的体区，体区具有第二导电类型；至少一个沟槽贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层...
王颖程超曹菲杨晓冬
文献传递
舰载飞机着舰飞行动力学仿真
随着我国综合国力的增加,我国对海洋的安全问题也日益重视。航空母舰是国家海上交通线和海上生命线的重要保障,其研发成功有利于更好的维护我国的领海权,保卫我国的广阔海疆。舰载飞机一直伴随航空母舰的产生、发展、日新月异,是航空母...
程超
关键词：舰载飞机飞行动力学仿真
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具有低导通电阻的沟槽DMOS器件
本发明提供的是一种具有低导通电阻的沟槽DMOS器件，该沟槽DMOS晶体管单元包括第一导电类型的衬底、第一导电类型的外延层和位于其上的体区，体区具有第二导电类型；至少一个沟槽贯穿体区并延伸进入外延层；沟槽内壁衬有隔离介质层...
王颖程超曹菲杨晓冬
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槽栅DMOS器件的研究与设计
近年来,由于半导体制造技术的发展,功率器件在性能、尺寸、生产成本方面都得到了极大地改善。此外,通信、计算机以及自动化产业的发展也拉动了对低压功率器件的需求,低工作电压和低功率损耗成为功率器件的一个重要发展趋势。槽栅DMO...
程超
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一种沟槽栅功率半导体器件制造方法
本发明公开了一种沟槽栅功率半导体器件制造方法。步骤包括：提供基底材料；在基底上形成第一导电类型的外延层；在外延层内形成第二导电类型体区和沟槽；在沟槽形成弱第一导电类型区域和介质层；在具有介质层的沟槽内侧形成导电区域；在第...
王颖赵旦峰曹菲程超
文献传递
一种沟槽栅功率半导体器件制造方法
本发明公开了一种沟槽栅功率半导体器件制造方法。步骤包括：提供基底材料；在基底上形成第一导电类型的外延层；在外延层内形成第二导电类型体区和沟槽；在沟槽形成弱第一导电类型区域和介质层；在具有介质层的沟槽内侧形成导电区域；在第...
王颖赵旦峰曹菲程超
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