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周琼琼

作品数：20 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信医药卫生化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 9篇二极管
  • 8篇外延层
  • 6篇电容
  • 6篇淀积
  • 6篇TVS
  • 6篇TVS器件
  • 6篇VCC
  • 5篇管芯
  • 5篇二极管芯片
  • 5篇衬底
  • 4篇导电类型
  • 4篇稳压二极管
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体集成
  • 3篇粘附
  • 3篇脱胶
  • 3篇吸潮
  • 3篇漏电
  • 3篇漏电流
  • 3篇埋层

机构

  • 20篇杭州士兰集成...

作者

  • 20篇张常军
  • 20篇周琼琼
  • 14篇王平
  • 9篇陈祖银
  • 6篇徐敏杰
  • 3篇刘旺
  • 3篇李志栓

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双向TVS器件结构及其制作方法
本发明提供了一种双向TVS器件结构及其制作方法，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具...
张常军王平陈祖银周琼琼
一种在P+衬底上制备低压二极管芯片的方法及其结构
本发明公开了一种在P+衬底上制备低压二极管芯片的方法及结构，所述的方法包括如下步骤：在P+衬底上直接通过外延，形成P-外延层、通过注入硼，形成P+阱、P+阱退火、通过光刻和刻蚀形成N-分压环区域、N-分压环退火通过光刻和...
张常军王平周琼琼
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单向TVS器件结构
本实用新型提供了一种单向TVS器件结构，通过在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良...
张常军王平陈祖银周琼琼
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双向对称ESD保护器件及其制造方法
本发明提供了一种双向对称ESD保护器件及其制造方法，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，...
王平张常军周琼琼陈祖银
双向低电容TVS器件及其制造方法
公开了一种双向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成双向低电容TVS器件由此可以提高双向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在双向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与第一稳压二极管纵向串联以及第二普通...
张常军徐敏杰周琼琼
单向TVS器件结构及其制作方法
本发明提供了一种单向TVS器件结构及其制作方法，在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护，避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题，其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具...
张常军王平陈祖银周琼琼
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低漏电的低压二极管芯片及其制备方法
本发明揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和...
张常军王平周琼琼刘旺李志栓
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双向低电容TVS器件
公开了一种双向低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于其中的第一导电类型埋层、第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层、贯穿第二导电类型外延层的多个隔离结构形成第...
张常军徐敏杰周琼琼
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双向对称ESD保护器件
本实用新型提供了一种双向对称ESD保护器件，该器件包括：第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底作为集电区；第二掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底的正面，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；第二掺杂类型的外延层，覆盖在所...
王平张常军周琼琼陈祖银
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单向低电容TVS器件及其制造方法
公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与稳压二极管纵向串联，降低单向低电容...
张常军徐敏杰周琼琼
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