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张玉贤

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇多量子阱
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇GAA
  • 2篇INP
  • 1篇导光
  • 1篇导体
  • 1篇多量子阱激光...
  • 1篇优化设计
  • 1篇折射率
  • 1篇阵列
  • 1篇阵列波导
  • 1篇阵列波导光栅
  • 1篇射线衍射
  • 1篇阈值电流
  • 1篇阈值特性
  • 1篇金属半导体
  • 1篇金属半导体场...
  • 1篇晶体管

机构

  • 6篇吉林大学

作者

  • 6篇张玉贤
  • 5篇刘式墉
  • 3篇陈松岩
  • 3篇马春生
  • 3篇李玉东
  • 2篇王本忠
  • 1篇张海明
  • 1篇孙洪波
  • 1篇张大明
  • 1篇刘悦

传媒

  • 2篇高技术通讯
  • 1篇光子学报
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第五届全国光...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2000
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1993
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
阵列波导光栅波分复用器带宽平坦的优化设计
本文给出了阵列波导光栅波分复用器带宽平坦化的一种优化设计方法，通过把偶数阵列波导的芯宽度加上一个增量，同时把奇数阵列波导的芯宽度减去同一个增量，即可获得阵列波导光栅的葙形波谱响应。应用这一方法对17×17信道聚合物阵列波...
马春生张海明张大明张玉贤刘式墉
关键词：阵列波导光栅波分复用器
文献传递
多量子阱光波导中的等幅基模
马春生张玉贤
关键词：折射率基模
1．52μmInGaAsP／InP分别限制量子阱激光器
1995年
报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０μｍ和１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。
陈松岩李玉东刘式墉张玉贤
关键词：阈值电流激光器
GaAs－InP复合材料的外延生长方法及金属半导体场效应晶体管器件制备
1995年
提出了一种新的生长过渡层的方法，并利用低压金属有机气相外延技术在ＩｎＰ衬底上生长出高质量ＧａＡｓ外延材料，用Ｘ射线双晶衍射测得５μｍ厚ＧａＡｓ外延层的（００４）晶面衍射半峰高宽（ＦＷＨＭ）低至１４０ａｒｃｓｅｃ。并制出ＧａＡｓ金属半导体场效应晶体管（ＭＥＳＦＥＴ），其单位跨导为１００ｍｓ／ｍｍ，可满足与长波长光学器件进行单片集成的需要。
陈松岩李玉东王本忠张玉贤刘式墉刘悦
关键词：复合材料金属半导体场效应晶体管
零净应变1.55μm InGa/As/InGasP应变补偿多量子阱激光器的参数优化
该文在零净应变条件下对1.55μmInGa/As/InGasP应变补偿多量子阱(SCMQW)激光器的阈值特性进行了分析。计算结果表明，为了实现SCMQW激光器1.55μm波长的激射，阱数、阱宽和腔长必须满足一定的关系。为...
马春生张玉贤刘式墉
关键词：多量子阱激光器阈值特性
文献传递
GaAs－InP异质材料的结构特性和光学特性研究被引量：1
1996年
我们在低压金属有机汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）设备上采用两步升温法与金属有机源流量周期调制生长界面过渡层方法制备出ＧａＡｓ－ＩｎＰ材料，并对此进行了Ｘ－射线衍射、低温光致发光谱（ＰＬ）和Ｒａｍａｎ谱分析，结果表明，ＧａＡｓ外延层的位错密度低于用两步升温法得到的ＧａＡｓ材料，ＰＬ谱峰较强，ＧａＡｓ的特征激子峰和杂质相关的激子峰同时被测到．Ｒａｍａｎ谱ＰＬ谱的峰移表明ＧａＡｓ外延层处于（１００）双轴伸张应力下，应力大小随温度变化是由于ＧａＡｓ、ＩｎＰ之间的热膨胀系数不同。
陈松岩李玉东孙洪波王本忠刘式墉张玉贤
关键词：X-射线衍射RAMAN谱
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