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李绍娟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇自对准
  • 2篇金属氧化物半...
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇半导体
  • 2篇玻璃衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇氧含量
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇金属靶
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇反应溅射

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇李绍娟
  • 2篇林鑫
  • 2篇姜蓓蓓
  • 2篇贺鑫
  • 2篇张盛东

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法
本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，在玻璃衬底正面依次制作金属栅电极、栅介质层和金属氧化物半导体层，然后涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行两次对称的倾斜曝光，显影形成光刻胶图形相对栅电极缩进一定...
张盛东贺鑫林鑫姜蓓蓓李绍娟
文献传递
氧化锌薄膜晶体管的反应溅射制备和特性研究
金属氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)与目前工业界主流的硅基TFT相比具有潜在的优势，包括更好的电学性能和更低的制作成本，因而成为当前显示技术领域的研究热点之一。尽管目前以多元系金属氧...
李绍娟
关键词：氧化锌薄膜反应溅射金属靶薄膜晶体管氧含量
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法
本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，在玻璃衬底正面依次制作金属栅电极、栅介质层和金属氧化物半导体层，然后涂布正性光刻胶，前烘后从玻璃衬底的背面进行两次对称的倾斜曝光，显影形成光刻胶图形相对栅电极缩进一定...
张盛东贺鑫林鑫姜蓓蓓李绍娟
文献传递
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