刘红
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- P掺杂4H-SiC超晶胞的第一性原理计算被引量：5
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算本征以及P替位式掺杂,P间隙式掺杂4H-SiC的晶格常数、能带结构、态密度、载流子浓度和电导率。结果表明:P掺杂减小了4H-SiC的禁带宽度,其中P替位C原子掺杂的禁带宽度最小。替位式掺杂导致4H-SiC的费米能级进入导带,使其成为n型半导体,间隙式掺杂使4H-SiC的费米能级接近导带并在其禁带中引入杂质能级。替位式掺杂后,4H-SiC的自由电子主要存在于导带底,而间隙式掺杂4H-SiC中除了导带底外,禁带中的杂质能级也提供了自由电子,因此,电子浓度大幅度增加。掺杂4H-SiC的载流子迁移率主要由中性杂质对电子的散射决定,较本征态的大幅度降低。通过计算4种体系的电导率可知,P替位Si原子掺杂4H-SiC的电导率最大,导电性最好。
- 史茹倩吴一刘红刘晨吉郑树凯王晓媛
- 关键词：4H-SIC第一性原理电导率
- B掺杂SrTiO_3电子结构的第一性原理计算被引量：3
- 2016年
- 利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO_3的晶格参数、Mulliken电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行计算。结果表明:B替位Sr和B替位Ti掺杂对SrTiO_3电子结构和光学性质的影响不显著;B替位O掺杂则在SrTiO_3的禁带中引入3条杂质能级,杂质能级上的电子可以吸收能量较小的光子跃迁至导带,光吸收强度从可见光长波段550nm开始逐渐增加,光谱吸收边红移;B以间隙原子的形式掺杂时,SrTiO_3的禁带宽度大幅增大,电子跃迁能增加,光谱吸收边蓝移。
- 刘晨吉贾云龙刘红刘红吴一刘磊
- 关键词：SRTIO3B掺杂第一性原理电子结构
- Cr/S共掺杂锐钛矿相TiO_2的第一性原理计算
- 2015年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法对Cr/S共掺杂锐钛矿相Ti O2的晶格参数、能带结构、电子态密度、电荷密度以及吸收光谱进行了计算。计算结果表明:Cr/S共掺杂使锐钛矿相Ti O2的晶胞体积变大;相比于未掺杂锐钛矿相Ti O2,Cr/S共掺杂锐钛矿相Ti O2的禁带宽度增大0.20e V,达到2.40e V,但Cr/S共掺杂并未造成锐钛矿相Ti O2吸收边的蓝移,反而是存在于锐钛矿相Ti O2禁带之内的掺杂能级导致其吸收边的红移。本文为实验上Cr/S共掺杂提高Ti O2的光催化活性提供了一定的理论基础。
- 刘红
- 关键词：O2第一性原理
