张瑞英
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：电子电信一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导高效耦合的容差范围
- 2019年
- Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成的反馈外腔半导体光源及其相关集成器件成为近年来的研究热点,大容差范围是该类器件提高成品率和降低制备成本的有效途径。采用有限差分光束传播法,针对应用于大尺寸Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的双锥形耦合器结构进行了仿真,研究了实现高效耦合结构参数容差范围。结果表明,当Ⅲ-Ⅴ材料有源波导中缓冲层厚度为0.5~0.7μm,有源波导锥形区长度为400~800μm,锥形区尖部宽度为0.5~0.55μm,有源波导增益区宽度为2.9~3.1μm,无源波导锥形区的长度超过500μm,有源波导相对于Si波导的偏移量小于1μm时,Ⅲ-Ⅴ/Si混合集成波导的耦合效率均可达到90%以上。研究双锥形Ⅲ-Ⅴ/Si波导高效耦合参数的容差范围可为下一步制备出高效耦合的该类大尺寸混合集成器件提供参考。
- 王天甲张瑞英张瑞英
- 锥型亚波长光栅在薄膜晶硅电池中的吸收增强效应分析
- 2012年
- 基于严格耦合波理论,从反射率、吸收增强因子、光生载流子几率和理想光电转换效率几个方面模拟分析了不同锥型亚波长光栅对1μm厚晶硅电池产生的影响。模拟结果得出:在相同光栅高度下,虽然小周期(P=100nm)锥形亚波长光栅的表面反射率低于大周期(P=500nm)结构的表面反射率,但是大周期锥形亚波长光栅薄膜晶硅电池的光生载流子几率和理想光电转换效率高于小周期结构的相应值,且这种区别随着光栅高度增加而增加。在AM1.5D太阳光谱下,最优化的大周期光栅使得薄膜晶硅电池光生载流子几率和理想效率增加1.4倍和1.65倍,而最优化的小周期光栅只能分别增加0.54倍和0.48倍。
- 邵彪张瑞英赵春雨董建荣杨辉张金仓
- 关键词：光电子学严格耦合波理论太阳电池
- 纳米圆锥光栅表面高效晶Si薄膜电池研究
- 高额晶Si材料成本和薄膜Si材料的自身缺陷使得基于纳米结构光管理工程来获得薄膜高效第三代晶Si电池成为研究热点。本文利用严格耦合波分析方法(RCWA)，在前期1微米晶Si薄膜电池纳米圆锥光栅优化基础上，将其应用于不同厚度...
- 张瑞英唐春荣邵彪张震董建荣杨辉
- 文献传递
- 双沟道脊波导InGaAsP/InGaAsP半导体激光器的温度分布仿真
- 2019年
- 采用二维有限元法(FEM)模拟了激射波长为1 550 nm的InGaAsP/InGaAsP多量子阱(MQW)双沟道脊波导(DCRW)激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度、Au层厚度和石墨烯填充对激光器散热的影响。模拟结果表明,上述参数均对激光器的有源区温度和热分布产生影响。当没有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度减少而提高;当有石墨烯填充时,激光器的温升随着沟道宽度和石墨烯厚度增加而提高。采用AlN钝化层、Au层加厚和石墨烯填充优化的激光器结构,其温升比传统结构激光器的温升低6℃。该结果为设计制备InGaAsP/InGaAsP激光器改善其散热性能提供指导,可为其他InP基光子集成回路改善热性能提供参考。
- 李晓李晓张瑞英赵岳
- 关键词：温升半导体激光器
- 图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长
- 2015年
- 使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究。实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关。与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关。AFM测试结果表明,提高V/III比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级。微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式。该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础。
- 戚永乐张瑞英张震王岩岩朱健孙玉润赵勇明董建荣王庶民
- 关键词：表面形貌
- 在晶元级Si衬底上制备高深宽比SiO_2周期图形（英文）
- 2016年
- 本文主要介绍了通过步进式光刻、反相剥离和F基等离子体刻蚀工艺在晶元级Si衬底上制备SiO_2图形的过程,在6 in(15.24 cm)Si衬底上实现了均匀的周期分别为1.0μm和1.6μm、深宽比分别为2.3和1.4的SiO_2周期性掩膜.尤其在周期为1μm的条件下,窗口通过过曝光和反相剥离工艺减小到330 nm,该尺寸超越了试验用步进式光刻设备的极限精度尺寸.在通过HF和KOH溶液处理后,得到了带有V型槽和较光滑侧壁的SiO图形的Si衬底,该图形适用于Ⅲ-Ⅴ半导体通过深宽比位错捕获技术的材料生长.这种均匀的晶元级图案制备方案促进了图形化Si衬底技术和Si基Ⅲ-Ⅴ半导体异质外延.
- 戚永乐张瑞英仇伯仓王逸群王庶民
- 关键词：图形衬底高深宽比
