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刘云

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇电池
  • 4篇存储器
  • 3篇旋涂
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇纳米
  • 3篇金属
  • 3篇金属纳米
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇底电极
  • 2篇电学性能
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇数量级
  • 2篇双光栅
  • 2篇平面型
  • 2篇气相沉积
  • 2篇自组装
  • 2篇阈值电压
  • 2篇六方氮化硼

机构

  • 14篇桂林电子科技...

作者

  • 14篇刘云
  • 12篇张法碧
  • 12篇肖功利
  • 12篇李海鸥
  • 6篇李琦
  • 6篇陈永和

年份

  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种二维材料阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备...
孙堂友涂杰刘云石卉李海鸥傅涛刘兴鹏王阳培华肖功利张法碧
一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器
本实用新型公开了一种基于过渡金属硫族化合物堆垛式忆阻器，包括衬底层、底电极层、第一阻变层、氧化层、第二阻变层和顶电极层。通过基于过渡金属硫族化合物的3层堆垛结构，一方面可以发挥该族二维材料的优势，优良的机械性和高透性使器...
孙堂友石卉涂杰刘云李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧
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一种双光栅高效太阳能电池
本发明公开了一种双光栅高效太阳能电池，所述双光栅高效太阳能电池包括晶硅表面纳米结构光栅、背金属纳米结构光栅、吸收层和背金属层，所述晶硅表面纳米结构光栅位于所述吸收层的上表面，所述背金属纳米结构光栅位于所述背金属层的上表面...
孙堂友石卉曹乐李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧刘云涂杰
一种基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法
本发明公开了一种可以在目标基片制备出与AAO模板一致的分布均匀、形状统一的纳米结构的基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法。该基于AAO纳米结构光刻掩膜版的制备方法首先以进行PMMA旋涂的AAO多孔纳米结构为基底，在AA...
孙堂友刘云涂杰石卉李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧
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一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法
本发明公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修...
孙堂友宁涛华刘云石卉李海鸥傅涛刘兴鹏王阳培华肖功利张法碧
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一种以h-BN作为中间插层的忆阻器
本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质...
孙堂友涂杰石卉刘云李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧
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一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器
本实用新型公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，所述底电极于所述凹槽的内底壁，所述第一电阻转变层位于所述底电极的顶端，所述第二电阻转变层位于所述第一电阻转变层的顶部，所述顶电极位于所述第二电阻转变层的顶部。将所述...
孙堂友宁涛华刘云石卉李海鸥傅涛刘兴鹏王阳培华肖功利张法碧
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一种以h-BN作为中间插层的忆阻器
本发明公开了一种以六方氮化硼(h‑BN)作为中间插层的忆阻器，所述以h‑BN作为中间插层的忆阻器包括衬底、底电极层、高空位介质层、中间插层、低空位介质层和顶电极层，以二维材料h‑BN作为中间插层的结构，夹在所述高空位介质...
孙堂友涂杰石卉刘云李海鸥傅涛刘兴鹏陈永和肖功利李琦张法碧
一种二维材料阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备...
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一种二维材料成膜方法
本发明公开了一种二维材料成膜方法，通过超声并静置使所述二维材料膜更加均匀，并通过排液将二维材料膜均匀的、大面积的、无伤的和低成本的转移在所述金属衬底上面。由于所述溶液都是可挥发的溶剂，因此在制备过程中并不会产生其他的杂质...
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