乐建连
- 作品数：16 被引量：11H指数：2
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- 基于Cascode级间匹配的多频段LNA设计被引量：1
- 2020年
- 提出了一种Cascode级间匹配电路,能够优化Cascode放大器的噪声系数、增益及高频稳定性。应用该电路,设计了一款多频段射频低噪声放大器(LNA)。采用0.25μm GaAs工艺进行实现,输入、输出阻抗匹配网络采用片外元件。测试结果表明,通过重配置片外元件的参数,该LNA可工作于0.7~1.1 GHz、1.6~2.1 GHz、2.3~2.8 GHz这三个频段,增益分别为25±2 dB、19.5±0.5 dB和18±1 dB,噪声系数分别低于0.6 dB、0.7 dB和0.9 dB,OIP3均大于30 dBm。该LNA对于GSM/WCDMA/LTE通信基站以及L/S频段接收机等设备具有一定的应用价值。
- 陈福栈甘业兵乐建连叶甜春
- 关键词：低噪声放大器CASCODE级间匹配
- 自动频率校正电路及频率校正方法
- 本发明提供一种应用于频率综合器的高精度超高速自动频率校正电路，该自动频率校正电路能够适应极低频率增益值KVCO的压控振荡器(VCO)、该自动频率校正电路具有极短的自动频率校正时间、该自动频率校正电路能根据外部配置的分频比...
- 刘启罗彦彬陈浪甘业兵钱敏乐建连
- 文献传递
- 一种低温度系数的全CMOS基准电流源被引量：2
- 2016年
- 基于传统基准电流源结构,增加了一条负反馈支路,将片上电阻的温度系数、晶体管载流子的温度系数与晶体管阈值电压的温度系数相互抵消,实现了基准电流源的温度补偿。测试结果表明,该基准电流源在1.1V的电源电压下能正常工作。在1.2V工作电压下,该基准电流源的静态电流仅为26μA,输出平均电流为10.36μA;当工作温度从-40℃到85℃变化时,电流的温度系数仅为3.79×10-4/℃。该电路采用55nm CMOS工艺,其芯片面积为4 488μm2,满足低功耗低成本的要求。
- 罗彦彬乐建连甘业兵钱敏叶甜春
- 关键词：基准电流源低温度系数阈值电压CMOS
- 一种电流型发射机结构
- 本发明涉及一种发射机(Transmitter)结构，尤其适合频率较高的应用，具体地说是一种电流型发射机结构(Current‑mode Transmitter)，属于射频集成电路的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述的...
- 罗彦彬刘启陈浪钱敏甘业兵乐建连
- 全集成低功耗低相位噪声差分LC压控振荡器设计(英文)被引量：1
- 2008年
- 介绍了一个针对全球定位系统接收机的全集成差分LC压控振荡器设计。该设计采用互补交叉耦合晶体管对结构,去掉了尾电流源以消除其热噪声对相位噪声的影响。考虑到低功耗低相位噪声表现,文中给出设计步骤。该设计经台积电0.18μm射频CMOS工艺进行流片验证。在1.5 V的供电电压下,VCO振荡于3.14 GHz,仅消耗1.2 mA。在频偏600 kHz和1 MHz的情况下,其相位噪声分别为-113 dBc/Hz和-118 dBc/Hz。
- 姚志健马成炎叶甜春乐建连
- 关键词：相位噪声压控振荡器GPS接收机
- 一种基于自适应偏置的2.4 GHz CMOS功率放大器
- 2020年
- 提出了一种单端自适应偏置电路,该电路能够根据输入信号功率,动态地调整输出直流电压,以提升射频功率放大器(PA)的线性度及功率回退区域的效率。为验证该电路的功能,设计了一种2.4 GHz PA,该电路基于单端三级结构设计,采用0.18μm CMOS工艺制造,电路输入及输出阻抗匹配网络均集成于片内。测试结果表明,PA的增益为26.8 dB,S11和S22均小于-10 dB,OP1 dB为23.5 dBm,功率回退6 dB点PAE和峰值PAE分别为14%和24%。该PA对WLAN、ZigBee等2.4 GHz设备具有一定的应用价值。
- 陈福栈罗彦彬甘业兵乐建连
- 关键词：CMOS功率放大器线性度
- 单片集成的低功耗2.4GHz收发芯片
- 本实用新型涉及一种单片集成的低功耗2.4GHz收发芯片。接收链路包括依次相连的低噪声放大器、下变频混频器、复数滤波器、可变增益中频放大器、模数转换器。发射链路包括依次相连的数模转换器、低通滤波器、上变频混频器、可控增益功...
- 马成炎乐建连莫太山王良坤甘业兵
- 文献传递
- 低相位噪声Σ-Δ小数频率合成器被引量：3
- 2010年
- 为使Σ-Δ小数频率合成器获得低带内相位噪声,在设计中调制器采用一种5阶4bit输出的单环Σ-Δ调制器,比3阶MASH(Multi-stAge noise-SHaping)结构有着更低的带内量化噪声.一款具有低带内相位噪声和快速锁定特点的2.6GHzΣ-Δ小数频率合成器在0.25μmCMOS工艺中实现.测试结果显示,该频率合成器在40KHz频率偏移处相噪-86.5dBc/Hz,杂散小于-65dBc.在2.5V的电源供电下,电流为25.5mA,整个芯片面积3.9mm2(核心电路面积0.63mm2).
- 于云丰叶甜春马成炎乐建连甘业兵
- 关键词：Σ-Δ调制器频率合成器MASHCMOS
- 多模式卫星导航接收射频前端芯片
- 本发明提出多模式卫星导航接收前端的构架方法，公开一种可适用于多种卫星导航系统的多模式卫星导航接收射频前端芯片。单片集成完整多模式射频前端的低噪声放大器/混频器组、可重配置镜像抑制滤波器、宽带可变增益放大器、模数转换器、可...
- 马成炎甘业兵王良坤莫太山乐建连
- 文献传递
- 一种高线性度的低噪声放大器
- 本发明公开了一种高线性度的低噪声放大器电路，涉及射频CMOS集成电路领域，包括主放大器电路、辅助放大器电路以及cascode电路，其中，主放大器电路包括第一NMOS晶体管、第一电容、第一电阻、第一电感、第一偏置电压和第一...
- 董震震甘业兵罗彦彬刘启乐建连
- 文献传递
