王勇
- 作品数：27 被引量：45H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- (Y0.74Ca0.26)Ba3Cu307-δ/(Y1-xLax)(Ba1.74La0.26)Cu3O7-δ多层膜的热激活能
- 王光月王勇李洁郑东宁张鹰子
- 关键词：载流子互扩散多层膜
- 电子全息在自旋电子学及半导体多量子阱材料研究中的应用
- 张泽王勇刘玉资戴涛张喆
- 文献传递
- 双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用被引量：1
- 2005年
- 利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究.DBMTJ的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和4.2K分别达到27%和42.3%,结电阻分别为13.6kΩ·μm2和17.5kΩ·μm2,并在实验中观察到平行状态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行态下呈现高电阻态以及TMR随外加偏压或直流电流的增加而发生振荡现象.由此,设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶体管.
- 曾中明韩秀峰杜关祥詹文山王勇张泽
- 关键词：自旋晶体管双势垒磁电阻效应电子输运特性隧穿磁电阻隧穿效应
- La<,0.65>（Ca，Ba）<,0.35>Mn<,1-x>Fe<,x>O<,y>（x=0-0.2）氧化物的磁阻效应
- 胡季帆丁志强付刚张清泉王勇姚力杨高照赵文瑾梅良模
- 关键词：磁阻效应
- 文献传递网络资源链接
- 一种在硅晶片上制备硅化镁薄膜的方法
- 本发明公开了一种在硅晶片上制备Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的方法，即分五步依次在超高真空环境下热处理硅晶片获得清洁的硅表面、低温沉积金属镁薄膜、低温氧化金属镁膜以获得MgO层、低温沉积氧化物覆盖层、以及高温退火形...
- 杜小龙王喜娜王勇梅增霞张天冲薛其坤
- 文献传递
- ZnO薄膜/磁性隧道结微结构及其性能的电子显微学研究
- 本论文综合利用衍衬像、会聚束衍射(CBED)、高分辨像(HREM)、电子能量损失谱(EELS)、X射线能量色散谱(EDS)、电子全息(EH)、高角环形暗场像(HAADF)等电子显微镜方法对ZnO薄膜/磁性隧道结(Magn...
- 王勇
- 关键词：ZNO薄膜磁性隧道结电子显微学电子全息电子能量损失谱
- 文献传递
- La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3/SrTiO_3薄膜厚度对其结构及磁学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3(LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长·LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随着薄膜厚度的增加,面内晶格参数增加,垂直于面内的晶格参数减小,晶格参数a和b相近,略小于c·LCMO薄膜内处于应变状态,由于薄膜与衬底的晶格失配,LCMO面内受到拉应力,垂直于面内受到了压应力·LCMO薄膜在qz方向存在轻微的镶嵌结构,并且在qz方向LCMO薄膜与STO衬底存在约0.1°的取向差.薄膜的磁电阻与薄膜的应变状态密切相关,随着薄膜厚度的增加,磁电阻减小.
- 张红娣安玉凯麦振洪高炬胡凤霞王勇贾全杰
- 关键词：X射线衍射物理性能
- La<,0.65>（Ca，Ba）<,0.35>Mn<,1-x>Fe<,x>O<,y>（x=0-0.2）氧化物的磁阻效应
- 胡季帆丁志强付刚张清泉王勇姚力杨高照赵文瑾梅良模
- 关键词：磁阻效应
- 铁磁/反铁磁金属多层膜微结构的研究
- 利用X射线异常散射技术分析了Bi的插入对Co/FeMn中各元素分布的影响.实验发现在FeMn/Co和Co/FeMn界面处均存在着14A的过渡层.在Co/Bi/FeMn多层膜中各元素的分布与Co/FeMn中的相似,只是Fe...
- 王勇
- 关键词：X射线多层膜微结构GMR残余应力
- 文献传递
- 硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制
- 2007年
- 本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺。发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板。在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变。上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板。
- 王喜娜梅增霞王勇杜小龙张晓娜贾金锋薛其坤张泽
- 关键词：透射电镜
