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王泽宇

作品数：17 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇电极
  • 4篇晶体管
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇变换器
  • 3篇氮化镓
  • 3篇增强型
  • 3篇势垒
  • 3篇通信
  • 2篇电路
  • 2篇电阻
  • 2篇调整电路
  • 2篇增益
  • 2篇增益控制
  • 2篇栅电极
  • 2篇势垒层
  • 2篇损耗
  • 2篇通信系统
  • 2篇频率抖动
  • 2篇前置放大器

机构

  • 17篇西安电子科技...

作者

  • 17篇王泽宇
  • 8篇张进成
  • 8篇刘志宏
  • 8篇郝跃
  • 8篇赵胜雷
  • 4篇来新泉
  • 4篇邵丽丽
  • 2篇司江勃
  • 2篇李林喜
  • 2篇刘从
  • 1篇李赞
  • 1篇关磊

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一款具有自适应调频模式的反激变换器XD2273的研究与设计
随着电子产品的日益普及和小型化,市场对电源管理类芯片的需求不断增加,对其要求也在不断提高。针对不同的应用场合,现已出现各种拓扑类型的电源管理芯片。　　基于西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室项目“中小...
王泽宇
关键词：反激变换器拓扑结构
文献传递
一种基于肘部法和DBSCAN的通信抗干扰方法及装置
本发明提供了一种基于肘部法和DBSCAN的通信抗干扰方法及装置，通过肘部法确定分类个数，将分类个数作为聚类算法参数选取标准，将DBSCAN聚类算法、DPC聚类算法与K‑means聚类算法相结合进行聚类算法改进，并利用已知...
陈章司江勃李赞戴雪雅赵尤然关磊王泽宇孙帅琦胡婉清
具有空气腔的氮化镓微波毫米波晶体管结构及制备方法
本发明公开了一种具有空气腔的氮化镓微波毫米波晶体管结构，其特征在于，包括：具有氮化镓外延结构的晶圆；栅电极、源电极和漏电极，栅电极、源电极和漏电极均位于晶圆上；表面钝化层，位于晶圆上；第一中间介质层和第二中间介质层，分别...
刘志宏郎英杰张进成王泽宇朱肖肖周弘赵胜雷张雅超段小玲郝跃
文献传递
高精度自动增益控制的光接收机的跨阻前置放大器
本发明公开了一种高精度自动增益控制的光接收机的跨阻前置放大器，主要解决现有跨阻前置放大器灵敏度低、信号输入范围窄、系统稳定性差的问题。其包括放大电路(1)，补偿电路(2)，增益控制电路(3)和采样电路(4)；放大电路(1...
来新泉李林喜邵丽丽王泽宇李志播
文献传递
高精度自动增益控制的光接收机的跨阻前置放大器
本发明公开了一种高精度自动增益控制的光接收机的跨阻前置放大器，主要解决现有跨阻前置放大器灵敏度低、信号输入范围窄、系统稳定性差的问题。其包括放大电路(1)，补偿电路(2)，增益控制电路(3)和采样电路(4)；放大电路(1...
来新泉李林喜邵丽丽王泽宇李志播
文献传递
自适应开关频率调整电路
本发明公开了一种自适应开关频率调整电路，主要解决现有技术存在的开关变换器仅在较窄负载范围内保持较高效率的问题。其包括模式判别模块，阈值选择模块，基本振荡逻辑，抖频控制逻辑及受控电流源。模式判别模块通过检测外部反馈电压FB...
来新泉王泽宇刘从邵丽丽
文献传递
一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中，所述增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括：晶圆，设置在所述晶圆上的源电极和漏电极，设置在所述晶圆上且位于所述源电极和所述漏电极之间的栅电极；其中，所述晶圆包...
刘志宏蔡鸣张进成周弘赵胜雷王泽宇郝璐张苇杭张雅超郝跃
文献传递
基于反激式AC/DC变换器的高效率高精度快速充电系统集成芯片关键技术研究
随着信息科技快速发展和基于大数据物联网的快速建立，人们在一台个人终端上即可完成信息获取和对实物设备智能控制。手机作为普及率最高、最具代表性的便携式个人终端，从1993年第一部智能手机IBM Simon诞生之日起，经过二十...
王泽宇
关键词：损耗模型快速充电AC/DC变换器集成芯片
自适应开关频率调整电路
本发明公开了一种自适应开关频率调整电路，主要解决现有技术存在的开关变换器仅在较窄负载范围内保持较高效率的问题。其包括模式判别模块，阈值选择模块，基本振荡逻辑，抖频控制逻辑及受控电流源。模式判别模块通过检测外部反馈电压FB...
来新泉王泽宇刘从邵丽丽
文献传递
Si基GaN HEMT器件高温可靠性研究
电子信息产业的飞速发展对半导体器件的性能提出了更高的要求,例如,大功率、高速半导体器件要求具有低的导通电阻、高的反向击穿电压和较快的响应速度。除了这些基本特性要求,非常规极端环境下（高温、高压等）的应用场景对器件可靠性及...
王泽宇
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