崔璨
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化物半导体沟道层和高介电常数绝缘层材料的研究
- 物薄膜晶体管(TFT)因具有载流子迁移率高、关态电流小、宽禁带和工艺温度低等特点,在高分辨率、大面积、柔性、3D、透明和OLED等新型显示技术领域显示出良好的应用前景.氧化物半导体沟道层材料和栅介质层材料及其界面特性对氧...
- 张群李洪磊浦海峰崔璨严海
- 关键词：电学性能
- SiNx介质层非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性研究
- 薄膜晶体管(TFT)作为显示器面板的核心部件,不可避免地会受到包括外部环境光和自身面板背光等不同光源的影响。针对光照因素带来的影响开展研究,并分析其中的原因,会对以铟镓锌氧(IGZO)为代表的氧化物TFT 的产业化应用具...
- 崔璨蔡明谚张鼎张张群
- 关键词：SINX薄膜晶体管光照
- SiN_x介质层非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性研究
- 2015年
- 通过对比电特性曲线、阈值电压、亚阈值摆幅等参数的变化趋势,深入分析了低温真空制备的Si Nx介质层非晶铟镓锌氧(a-IGZO)薄膜晶体管(TFT)在光照下的稳定性机理。实验结果表明,器件在光照下的稳定性良好。但如果在施加偏压的过程中同时进行光照,则会伴随有不同程度的电性曲线偏移,具体表现为对正偏压效果的抑制作用和对负偏压效果的促进作用。结合光照在器件的恢复过程中的影响综合分析后认为,光照的主要作用体现在光子对电子空穴对的激发,以及为电子提供能量增加越过势垒的几率。单一的光照影响有限,但在光照与偏压的共同作用下,往往会引起显著的电学性能变化,变化结果符合charge-trapping模型。
- 崔璨蔡明谚张鼎张张群
- 关键词：IGZOSINX薄膜晶体管光照
- SiN_x介质层非晶IGZO薄膜晶体管的光照稳定性研究
- 薄膜晶体管(TFT)作为显示器面板的核心部件,不可避免地会受到包括外部环境光和自身面板背光等不同光源的影响。针对光照因素带来的影响开展研究,并分析其中的原因,会对以铟镓锌氧(IGZO)为代表的氧化物TFT的产业化应用具有...
- 崔璨蔡明谚张鼎张张群
- 关键词：薄膜晶体管光照
- 文献传递
