吴元庆
- 作品数：57 被引量：59H指数：4
- 供职机构：渤海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科技厅基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程文化科学动力工程及工程热物理更多>>
- 热膨胀驱动型微阀的设计与制备被引量：2
- 2012年
- 利用IntelliSuite软件对热膨胀驱动微阀进行结构分析设计,讨论了微加热器结构等因素对于微阀的影响。利用SU—8胶成型工艺制备了聚二甲基硅氧烷(PDMS)微阀所需要的模具。热膨胀驱动微阀的制备过程分为:薄膜微加热器的金属淀积、阀腔的制备、弹性薄膜的制备和流体通道的制备四部分,详细阐述了各部分的制备工艺流程和各层之间的改性键合工艺等。通过微加工工艺提高了微阀的性能。利用蠕动泵作为流体驱动源,对微阀的性能进行验证,当阀腔驱动电压达到9 V时,实现了微阀关闭。
- 吴元庆姚素英
- 关键词：键合微电子机械系统
- 超薄晶硅太阳电池的吸收损耗
- 2016年
- 利用频域有限差分法,分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由本征吸收和导模共振吸收引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
- 陆晓东张鹏赵洋王泽来吴元庆张宇峰周涛
- 关键词：光吸收频域有限差分法
- T型发射区单晶硅太阳电池的输出特性研究
- 2016年
- 利用TCAD半导体器件仿真软件对具有T型发射区结构的单晶硅太阳电池进行了仿真研究。全面系统地分析了在不同衬底少子寿命情况下,不同T型发射区深度对太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明：采用T型发射区结构可在一定程度上提高常规均匀发射区太阳电池的电学性能;T型发射区结构对700～1200nm长波段入射光的外量子效率具有明显的改善作用;当衬底少子寿命一定时,太阳电池短路电流密度、填充因子均随T型发射区深度的增大而增大,而开路电压随T型发射区深度的增大而减小;当T型发射区深度大于80μm时,对于低衬底少子寿命的单晶硅太阳电池,T型发射区结构对其转换效率的改善效果最为显著。
- 周涛陆晓东吴元庆李媛
- 关键词：单晶硅太阳电池发射区少子寿命量子效率
- 直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究被引量：2
- 2016年
- 集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于三重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。
- 周涛陆晓东吴元庆夏婷婷
- 关键词：饱和压降击穿电压二次击穿
- 表面结构对面源黑体光谱发射率的影响
- 2023年
- 随着红外测温技术的快速发展,红外测温仪在军事及民用领域得到广泛应用,对测量准确度的要求提升到了新的高度。面源黑体辐射源作为非接触测温设备校准的核心装置,近年来受到广泛的关注。发射率是描述辐射源性能的重要指标,目前缺少黑体表面形貌对发射率影响的研究。面源黑体发射率主要由表面凸锥结构和涂覆涂层决定。为设计出高发射率面源黑体,以具有凸锥结构的面源黑体为基础模型,引入间距及涂层结构,建立具有不同表面结构参数、单元间距及涂层厚度的面源黑体模型,设置基底材料为石墨,涂层材料为氮化硅,通过有限元软件得到仿真模型的反射率,利用反射率反演得到其发射率,绘制3~14μm范围内的光谱发射率曲线;研究面源黑体表面的电场分布情况。分析结构单元的宽高比、涂层厚度和结构单元间距等参数对发射率的影响。结构单元高度与发射率成正比、较窄的宽度对发射率有优化作用,发射率随宽高比的减小而增大。涂层结构改变了光谱发射率的下降趋势,在11μm后发射率上升,发射率随厚度增加而增大;单元间距变化与发射率成正比。设置初始面源黑体单元结构高度为10μm、宽度为1μm,在该模型上依次添加2μm涂层及2μm间距结构,进行仿真计算。优化后黑体辐射源在长波段具有优势,在3~14μm波段内光谱发射率稳定,最低值为0.966;电场分布图表明了三种结构因素对面源黑体表面能量的影响,优化得到的模型参数可用于面源黑体的实际制造。仿真结果表明较小宽高比、较厚涂层、较大间距具有提高发射率的能力,为制造高辐射性能面源黑体辐射源提供了理论参考。
- 张宇峰邬玉玲吴元庆贾辉刘文皓戴景民
- 关键词：发射率面源黑体仿真计算
- 底表面光栅结构对于红外热探测器效率影响的研究
- 2017年
- 红外热探测器利用敏感材料的电学特性,将吸收的热量转化为电信号由检测电路检出,但其吸收效率并不理想。利用底表面光栅结构的大反射率特性,促进红外探测器结构的二次吸收,可有效提高探测器的吸收效率。基于电磁场理论,分析了结构参数对红外光学吸收的影响,利用数值模拟的方法,并通过结构参数的优化使吸收结构在整个波长范围内平均吸收效率提高了近一倍。
- 吴元庆张金晶刘春梅陆晓东周涛
- 关键词：非制冷红外探测器光栅
- 太阳电池用金属背反镜的吸收损耗
- 2016年
- 利用频域有限差分法计算获得的金属背反镜吸收损耗谱及其光电流密度谱,分析了c-Si、a-Si和GaAs三种材料电池的银背反镜的吸收损耗情况。分析过程中,电池结构采用两种形式,即平板型和织构型,且两种形式的电池结构具有相同的有源层厚度、减反膜结构、缓冲层结构、银背反镜厚度。分析表明:直接带隙a-Si和GaAs材料的银背反镜损耗小于间接带隙c-Si材料;平板型电池银背反镜的TE模损耗随入射角增加而减小,TM模损耗随入射角增加而增加;织构型电池银背反镜吸收谱的吸收峰较平板型电池多,相应的银背反镜的损耗也较平板型电池大;TM模激励的等离子体振荡吸收效应在织构型电池中表现明显。
- 陆晓东赵洋王泽来张鹏吴元庆张宇峰周涛
- 关键词：吸收损耗
- 一种失活雷尼镍催化剂绿色回收处理装置及回收方法
- 一种失活雷尼镍催化剂绿色回收处理装置及回收方法，包括竖向的筒体、配液釜，筒体的上部安装环形管，环形管为倾斜安装，环形管的下部均连接数根连接管，连接管连接筒体的上端，连接管伸入至筒体内与筒体的内壁配合，筒体的外周均匀安装数...
- 张明张德福李媛方亚琴吴元庆刘春梅
- 高效背接触太阳电池反向热击穿特性研究
- 2015年
- 基于非等温能量平衡传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(IBC)单晶硅太阳电池反向输出特性进行了仿真研究。通过光电转换效率和反向热击穿特性对IBC太阳电池的性能进行综合评价。全面系统地分析了不同衬底电阻率、发射区表面浓度、发射结结深对IBC电池反向热击穿特性和转换效率的影响。借鉴双极功率半导体器件的抗二次击穿技术并应用于IBC电池,详细分析了发射区边缘刻蚀结构对IBC电池反向热击穿特性的影响。仿真结果表明:高晶硅衬底电阻率、低发射区表面浓度有利于改善IBC电池的反向热击穿特性,但不利于电池转换效率的提高。深结发射区不仅有利于改善IBC电池的热击穿特性,而且有利于电池转换效率的提高。当发射区边缘柱面结未被完全刻蚀时,不具有改善IBC电池反向热击穿特性的作用。当发射区边缘柱面结被完全刻蚀时,随着横向刻蚀距离的增大,热击穿临界电压增大。
- 周涛陆晓东吴元庆李媛
- 关键词：背接触太阳电池电阻率发射区结深刻蚀
- 编码悬浮微块片上多组分并行免疫检测的方法
- 2011年
- 采用热压印光刻技术制备了一种多金属构成、带数字标识图形的悬浮微块,其中的镍层与金层可分别实现微块的磁控靶向与生物探针的联接。借助微块表面的数字微通孔标识符号,实现了微块的生物探针编码;用异硫氰酸荧光素荧光标记编码的悬浮微块,通过悬浮微块的多组分并行免疫荧光检测,实现了微块的生物探针解码及生物分子的定量检测。这种编码的地址数取决于微块表面的微通孔数,理论上可以成千上万。因此,表面经过生物探针修饰的悬浮微块是建立生物分子编码库的理想途径,可作为基于高通量悬浮阵列技术的免疫分析平台。
- 高鹏吴元庆徐超常津
