许小勇
- 作品数：11 被引量：13H指数：3
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省高等学校自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学一般工业技术化学工程更多>>
- 理工科《大学物理》教学改革实践探索
- 2015年
- 针对当前高校理工科《大学物理》教学现状,实施优化教学内容、改进教学模式、加强反馈互动等方案推进教学大纲的专业特色化,教学形式的多元化,考核体系的合理性,提高教学质量,优化教学效果.
- 许小勇
- 关键词：大学物理教学改革理工科教学模式考评系统
- 交换偏置双层膜中的反铁磁自旋结构及其交换各向异性被引量：1
- 2007年
- 研究了交换偏置双层膜中界面存在二次以及双二次交换耦合下反铁磁磁矩转动及其交换各向异性.结果表明,其反铁磁膜中的磁矩转动存在可逆"恢复行为"、不可逆"半转动行为"、不可逆"倒转行为"以及不可逆"半倒转行为"四种情形,四种情形的出现强烈地依赖于界面二次、双二次耦合以及反铁磁膜厚度.其中可逆恢复行为情况下,系统出现交换偏置,而不可逆的半转、半倒转以及倒转情形,系统不出现交换偏置.特别地,在界面处仅存在双二次耦合的情形下,其界面双二次耦合常数J2≤0.1σw(反铁磁畴壁能量σw)时,系统有正交换偏置,若J2>0.1σw,系统出现增强的矫顽场,但无交换偏置.当界面处存在二次耦合下,其双二次耦合可削弱甚至消除交换偏置,而总增强矫顽场.
- 许小勇潘靖胡经国
- 关键词：交换各向异性交换偏置
- 铁磁/反铁磁双层膜中冷却场对交换偏置场的影响被引量：3
- 2009年
- 用铁磁畴壁模型研究了非补偿界面铁磁/反铁磁双层膜中冷却场(包括大小及其方向)对交换偏置场hE的影响.结果表明:当冷却场的方向与反铁磁层磁易轴一致时,hE大小与冷却场大小无关.当冷却场的方向偏离磁易轴时,hE的大小随偏离角度的增大有缓慢的改变,但当冷却场的方向偏离到临界角度γc处,hE的大小发生突变,其γc的大小随冷却场的增大而增大.特别是当冷却场的偏离角度大于γc后,hE出现由负转正的现象,其转变点还与冷却场的大小有关.另外,hE与铁磁层原子层数NF的关系会发生由hE∝NF-1向hE∝NF-λ的转变,其中λ>1.其发生转变的条件与NF、冷却场大小和方向密切相关.
- 田宏玉许小勇胡经国
- 关键词：交换偏置
- 高等教育改革发展关键问题及策略思考被引量：3
- 2016年
- 目前我国的高等教育已进入了以提高质量为核心的内涵式发展阶段,加快高等教育的优化改革成为紧迫的核心任务。本文在新时代高等教育优化改革背景下针对教学改革、科研创新、团队建设、人才培养等关键问题提出了一些建设性思考。
- 许小勇
- 关键词：高等教育教学改革团队建设
- 铁磁/反铁磁/铁磁三层膜系统中反铁磁自旋结构及其交换各向异性被引量：1
- 2010年
- 研究铁磁/反铁磁/铁磁三层膜中界面存在二次以及双二次交换耦合下反铁磁磁矩转动及其交换各向异性.结果表明,其反铁磁膜中的磁矩转动存在可逆"恢复行为"、不可逆"连续倒转行为"以及不可逆"中断倒转行为"三种情形,三种情形的出现强烈地依赖于两界面处的线性耦合和双二次耦合.钉扎界面的交换耦合与旋转界面的交换耦合相互竞争,当钉扎界面耦合占主导时,反铁磁磁矩发生可逆"恢复行为",系统出现交换偏置.在旋转界面耦合占主导情形下,其线性耦合与双二次耦合也相互竞争,分别导致反铁磁磁矩发生不可逆"连续倒转行为"和不可逆"中断倒转行为",系统都不出现交换偏置,但矫顽场都得以增强.相关结论为实验上观测的磁滞能耗以及界面垂直耦合提供了可能的解释.
- 王烨丽马英英许小勇胡经国
- 关键词：自旋结构交换偏置
- Sn1-xCoxO2纳米颗粒微结构、磁、光特性随Co掺杂浓度的变化
- 要通过共沉淀法来制备纯的氧化锡(SnO2)与钴(Co)掺杂的SnO2纳米颗粒，其中Co的掺杂浓度分别为1％、3％、5％、7％和10％。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)与能谱仪(EDS)分别来分析晶...
- 庄申栋许小勇胡经国
- 关键词：稀磁半导体铁磁性
- 铁磁/反铁磁双层膜系统中交换各向异性及其厚度依赖性被引量：3
- 2011年
- 研究铁磁/反铁磁双层膜系统中交换偏置场和矫顽场的冷却磁场依赖性.结果表明,随着冷却磁场的增加,交换偏置场由负值向正值转变.在转变点附近,矫顽场有一个特别的增强,并达到最大值.结果同相关实验一致.研究铁磁层和反铁磁层厚度对交换偏置场和矫顽场的影响.发现,正负交换偏置场和矫顽场随着铁磁层厚度的增大而减小,但随反铁磁层厚度的变化关系复杂.在正交换偏置场的情形,随反铁磁层厚度的增大,交换偏置场增强,矫顽场减弱;在负交换偏置场的情形,随反铁磁层厚度的增大,交换偏置场减弱,矫顽场增强.
- 许小勇顾加银孟如男李田胡经国
- 关键词：交换偏置场矫顽场
- 自旋阀结构中的力致磁阻效应
- 2009年
- 采用变分法研究了外应力场下铁磁单层膜、铁磁/反铁磁双层膜系统的磁化性质,进而研究了由铁磁单层膜和铁磁/反铁磁双层膜所构建的自旋阀结构中的磁电阻与外应力场之间的关系。结果表明,铁磁膜中的磁化性质与膜面内所加应力场的大小,方向密切相关,而反铁磁层的嵌入将明显地改变着铁磁层的磁矩向应力场方向磁化的行为。特别地,在应力场方向垂直于铁磁易轴情况下,当应力场Hλ=2(K1+Kup)3M时,将发生磁化从易轴方向到应力方向的突变。为此,可采用自旋阀结构,通过其膜面内的应力场所调控的磁电阻效应,构建纳米尺度下的力磁传感器。
- 钱丽洁朱金荣许小勇胡经国
- 关键词：应力场磁电阻效应
- 铁磁多层膜中的力致磁电阻效应被引量：3
- 2009年
- 通过研究外应力场下铁磁多层膜系统中的自旋结构,讨论了系统磁电阻对外应力的依赖关系.结果表明,外应力能够诱发磁电阻效应,且其磁电阻紧密依赖于外应力的大小和方向.一般地对铁磁性层间耦合,其磁电阻与外应力之间的关系紧密地依赖于两铁磁层的磁致伸缩系数以及磁晶各向异性之差异.具体地,大小一定的外应力由磁易轴向磁难轴旋转的过程中,磁电阻先缓慢增大后急剧减小,在磁难轴附近变化较敏锐,并出现峰值.外应力方向一定时,磁电阻随应力的增大先敏锐增强后缓慢减小,且应力方向偏离磁易轴越远,变化趋势越显著.特别地,当外应力完全垂直于磁易轴时,应力大小的变化会引起磁电阻翻倍.而外应力场介于8πM/5≤Hλ≤18πM/5时,磁电阻会随应力的旋转单调上升,并在磁难轴附近急剧增强,产生GMR效应;对反铁磁性层间耦合,其GMR效应对应力大小和方向的响应近似地相反于铁磁性层间耦合情形.
- 许小勇钱丽洁胡经国
- 关键词：自旋结构磁电阻应力场
- 铁磁/反铁磁双层膜中的磁化性质与界面微结构
- 2009年
- 采用Monte Carlo模拟方法,通过反铁磁层中非磁性掺杂方式调节铁磁层与反铁磁层界面微结构,讨论了其界面微结构对体系的磁滞回线的不对称性、交换偏置场及矫顽场的影响。模拟结果显示:在同一掺杂浓度下,体系的磁滞回线的不对称性及交换偏置场强烈地依赖于掺杂方式,但矫顽场几乎不受影响,其相应的温度特性亦依赖于掺杂方式。它表明铁磁/反铁磁双层膜体系中的磁滞回线的不对称性以及交换偏置场与其界面微结构密切相关,同时实验上人们可通过界面微结构的改变获得交换偏置场大、矫顽场小且热稳定性好的自旋阀结构。
- 王茂华许小勇胡经国
- 关键词：交换偏置场矫顽场
