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陈建国

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：北大方正集团有限公司更多>>
相关领域：交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇中文专利

领域

  • 1篇交通运输工程

主题

  • 11篇半导体
  • 10篇氮化镓
  • 10篇芯片
  • 8篇刻蚀
  • 7篇介质层
  • 7篇晶体管
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇迁移率
  • 6篇高电子迁移率
  • 5篇电极
  • 5篇淀积
  • 5篇氧化层
  • 5篇接触孔
  • 5篇金属
  • 5篇高电子迁移率...
  • 5篇半导体器件
  • 4篇氮化镓器件
  • 4篇旋涂
  • 4篇平坦化
  • 4篇存储器

机构

  • 33篇北大方正集团...
  • 33篇微电子有限公...
  • 10篇北京大学

作者

  • 33篇陈建国
  • 10篇刘美华

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 13篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种沉积炉管及沉积薄膜的方法
本发明公开了一种沉积炉管及沉积薄膜的方法，其中沉积炉管包括：炉体、气体反应腔、通气管道、抽气泵、温度控制器和晶舟，所述通气管道贯穿于气体反应腔，且所述通气管道上有至少两个通气孔。通过本发明的方案，由于通气管道贯穿于气体反...
陈建国李天贺
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肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管
本发明提供了一种肖特基二极管的加工方法和肖特基二极管，其中肖特基二极管的加工方法包括：在形成有氮化镓层的基底的正面依次形成氮镓铝层和复合绝缘层，所述复合绝缘层包括层叠的第一绝缘层和第二绝缘层；去除所述氮化镓层的阴极区域上...
刘美华陈建国林信南
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一种氮化镓场效应晶体管及其制作方法
本发明提供了一种氮化镓场效应晶体管，包括衬底、在所述衬底上依次形成的外延层、钝化层、第一氧化层、源极、漏极、栅极、第二氧化层及场板层；其中，所述场板层与所述源极通过金属引线电连接，所述场板层与所述栅极部分相对。本发明还提...
刘美华陈建国林信南
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一种半导体芯片以及金属间介质层的制作方法
本发明公开了一种半导体芯片以及金属间介质层的制作方法，用以降低PMOS器件开启电压的漂移值，提高PMOS器件的可靠性。所述半导体芯片金属间介质层的制作方法包括：在第一金属层上形成第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上形成第二...
陈建国 张枫 徐顺强 陈余鑫 文燕
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一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件
本发明实施例提供一种氮化镓器件的加工方法，该加工方法为：在氮化镓器件的表面垫积一层氧化层，所述氧化层的材质为电绝缘材质，对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部...
陈建国张枫刘蓬谢春诚
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一种处理半导体芯片的方法
本发明公开了一种处理半导体芯片的方法，所述方法包括：清除半导体芯片附着的污染物，获得清洁后的半导体芯片；往置放有所述清洁后的半导体芯片的加工炉中通入符合第一预设条件的混合气体，以将所述半导体芯片中栅极氧化层和多晶硅界面处...
陈建国贺冠中李天贺李昆乐
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一种晶圆表面平坦化方法
本发明公开了一种晶圆表面平坦化方法，包括：在有台阶的晶圆表面淀积第一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层上面旋涂一层旋涂玻璃SOG层，所述SOG层在非台阶处的上表面高于所述晶圆表面的台阶；对旋涂SOG层后的晶圆进行高温烘烤；采...
陈建国席华萍
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测试模块及半导体器件母件
本实用新型提供了一种测试模块及一种半导体器件母件，其中的测试模块用于对半导体器件进行测试，包括：压焊点；导线，设置在所述压焊点的下方，所述导线的一端连接至所述半导体器件，另一端连接至所述测试模块的其他压焊点，以供在所述其...
陈建国贺冠中
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一种氮化镓器件及封装方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件及封装方法。用于解决现有技术中封装后的氮化镓器件电极管脚的排列顺序不兼容的问题。本发明实施例将功率半导体芯片附接到第一引线框，将氮化镓芯片附接到第二引线框，所述第一引线框和...
陈建国谢春诚刘蓬
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高电子迁移率晶体管和存储器芯片
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管和存储器芯片，其中所述高电子迁移率晶体管包括：基底；氮化镓层和氮化镓铝层，所述氮化镓层的一侧复合于所述基底的表层，所述氮化镓层的另一侧复合于所述氮化镓铝层的底部；介质层，复合于所述氮化镓...
刘美华陈建国林信南
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