您的位置: 专家智库 > >

袁俊辉

作品数:5 被引量:33H指数:3
供职机构:武汉理工大学理学院更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学

主题

  • 5篇第一性原理
  • 4篇第一性原理计...
  • 3篇电子结构
  • 3篇子结构
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇ZNO
  • 1篇导电
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电磁性质
  • 1篇电性质
  • 1篇新型结构
  • 1篇修饰
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米片
  • 1篇共掺
  • 1篇共掺杂
  • 1篇光电性质
  • 1篇O层

机构

  • 5篇武汉理工大学

作者

  • 5篇王嘉赋
  • 5篇袁俊辉
  • 3篇高博
  • 3篇余念念
  • 2篇汪文
  • 1篇杨永勇

传媒

  • 2篇原子与分子物...
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 4篇2016
  • 1篇2015
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Co-Y共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量:5
2016年
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了本征ZnO、Co和Y单掺杂ZnO、Co-Y不同配位共掺杂ZnO的电子结构和光学性质。计算结果表明,在本文的掺杂浓度下,Co和Y单掺杂可以提高ZnO的载流子浓度,从而改善ZnO的导电性,Co-Y共掺时ZnO半导体进入简并状态,呈现金属性。Co掺杂ZnO会在可见光和近紫外区域发生吸收增强现象,而Y掺杂ZnO可以提高体系在紫外区域的吸收,其中由于Co离子和Y离子之间的协同效应,Co-Y共掺ZnO时体系对可见光和近紫外区域的光子能量吸收大幅增加,因此Co-Y共掺杂ZnO可以用于制作光电感应器件。
范涛健袁俊辉杨永勇余念念王嘉赋
关键词:ZNO第一性原理光学性质
Ti,Cu和Zn掺杂AlN纳米片电磁性质的第一性原理研究被引量:8
2016年
采用基于密度泛函理论(DFT)的全势线性缀加平面波法(FP-LAPW)研究了过渡金属Ti,Cu,Zn掺杂Al N纳米片的电子结构、磁性和稳定性.结果表明,Ti,Cu,Zn单掺杂均表现出半金属铁磁性,磁性主要是由于杂质原子的3d态与近邻N原子的2p态的轨道杂化.形成能的计算结果表明Ti掺杂Al N体系相对Cu和Zn掺杂结构更稳定.因此,相比于Cu和Zn,Ti掺杂Al N纳米片更适合用来制作稀磁半导体.
袁俊辉高博汪文王嘉赋
关键词:电子结构第一性原理
同时具有CuO_2层和Fe_2Se_2O层的新型结构Pr_4CuO_7Fe_2Se_2的设计与电子结构研究
2016年
铜氧化物高温超导体和铁基高温超导体的发现,打破了基于电声耦合机理的BCS所预测的超导转变温度极限,使得人们对于超导材料的研究进入新的阶段.两者具有相似的层状结构,在掺杂引入载流子的情况下能够产生超导现象.本文报道基于已有的铜氧化物超导体Pr2CuO_4和具有类超导体结构的Pr2O_3Fe_2Se2系列化合物,设计出一系列超导候选材料Pr_4CuO_7Fe_2Se_2,并对其电子结构进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算研究.计算的能带结构和态密度表明,Pr_4CuO_7Fe_2Se_2整体表现出弱导电性,与已有超导体类似;具有明显的各项异性,同样为层状结构,Fe_2Se_2O层和CuO_2层均表现出导电性,被Pr2O_2层分离开,其中费米能级附近Fe_2Se_2O层对态密度的贡献较大,Pr2O_2层几乎无导电性,z轴方向则表现出绝缘体特性.新设计结构的整体表现如同Pr2CuO_4和Pr2O_3Fe_2Se2的结合,但是CuO_2层和Fe_2Se_2O层的活跃能级区域又有所不同,这就使得同一环境下,单一物质中,对比研究两种层状结构的物理表现成为一种可能.
高博袁俊辉余念念王嘉赋
关键词:超导电性第一性原理计算
Y-Cu共掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理计算被引量:21
2015年
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了本征Zn O、Y和Cu单掺杂Zn O、Y-Cu共掺杂Zn O的电子结构和光学性质.计算结果表明,在本文的掺杂浓度下,Y和Cu单掺杂可以提高Zn O的载流子浓度,从而改善Zn O的导电性,Y-Cu共掺时Zn O半导体进入简并状态,呈现金属性.Y掺杂Zn O可以提高体系在紫外区域的吸收,而Cu掺杂Zn O在可见光和近紫外区域发生吸收增强现象,其中由于Y离子和Cu离子之间的协同效应,Y-Cu共掺杂Zn O时体系对可见光和近紫外区域的光子能量吸收大幅增加,因此Y-Cu共掺杂Zn O可以用于制作光电感应器件.
袁俊辉高博汪文王嘉赋
关键词:第一性原理电子结构光学性质
单层SbAs和BiSb的表面修饰调控被引量:1
2016年
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了V族二维层状材料SbAs和BiSb在全氢化和全氟化后体系的晶体结构、稳定性和电子结构.计算结果表明,全氢化后SbAs和BiSb由buckled结构转变为准平面结构,而全氟化后则转变为low-buckled结构.同时,本征、全氢化和全氟化的SbAs和BiSb均具有很好的稳定性,具备实验合成的可能性.电子结构的分析表明,全氢化和全氟化后SbAs和BiSb均由宽带隙半导体转变为窄带隙的直隙半导体,且其能带结构仍具有很好的线性色散.通过对准平面和low-buckled结构SbAs和BiSb电子结构的进一步分析,揭示了全氢化和全氟化后体系能带变化的原因.在h-BN衬底上的计算结果显示,由于两者间的弱耦合作用,使得全氢化和全氟化SbAs的直隙半导体特征得以保留,表明其在未来光电子设备等领域中具有广泛的应用前景.
袁俊辉谢晴兴余念念王嘉赋
关键词:第一性原理计算表面修饰电子结构
共1页<1>
聚类工具0