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周伟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇TIO2
  • 1篇电子结构
  • 1篇性能设计
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧空位
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇能级
  • 1篇子结构
  • 1篇理论计算研究
  • 1篇空位
  • 1篇激子
  • 1篇溅射
  • 1篇光催化
  • 1篇半导体
  • 1篇铟
  • 1篇AL掺杂
  • 1篇IN2O3

机构

  • 4篇天津大学

作者

  • 4篇周伟
  • 2篇吴萍
  • 1篇刘卫芳
  • 1篇李宝凌
  • 1篇刘立娟

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
应变效应对Al掺杂TiO2中自束缚空穴影响的理论计算研究
在宽带隙氧化物材料中实现p型导电行为是当前材料物理领域的研究前沿课题之一。然而，相关研究表明，宽带隙氧化物材料价带顶O-2p轨道的强局域性导致在上述材料中难以实现较好的p型导电性能[1]。本文利用基于密度泛函理论泛函的L...
周伟梅泽直人
关键词：氧化物半导体电子结构
In2O3薄膜的制备、结构、光、电及d0铁磁性研究
本工作对射频磁控溅射法制备的纯氧化铟薄膜的结构、光、电、磁特性进行了研究。结果表明纯的氧化铟薄膜中存在室温d铁磁性且可以通过真空退火得到有效的增强。另外,在不同的氧氩流量比下制备的纯氧化铟薄膜,其光学带隙及磁性随着氧氩流...
孙少华邢鹏飞刘卫芳周伟吴萍
关键词：氧化铟氧空位射频磁控溅射
文献传递
单层TiO2激子能带结构及其光催化产氢性能设计
周伟原健刘彦昱
关键词：激子光催化
均匀颗粒成形中金属射流断裂因素的研究
2011年
利用自行搭建的均匀颗粒成形设备(UniformDropletSpray–UDS)对Sn-37%Pb金属射流在外加扰动,外加电场,环境氧浓度3个因素影响下的断裂方式进行了初步研究。实验结果表明:外加扰动控制金属射流断裂的形态和均匀度;外加电场给金属液滴加载电荷,通过库仑排斥作用避免了射流断裂后形成的液滴间的相互凝聚现象;环境氧浓度通过影响金属射流的表面张力和氧化层生长速度控制金属射流的断裂。
李宝凌周伟刘立娟吴萍
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