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孙毅之

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：天津电子材料研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇面接触
  • 1篇点接触
  • 1篇电阻率
  • 1篇雪崩
  • 1篇雪崩击穿
  • 1篇砷化镓
  • 1篇热激电流
  • 1篇中雪
  • 1篇外延层
  • 1篇外延片
  • 1篇击穿
  • 1篇硅外延
  • 1篇硅外延片
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇TSC
  • 1篇硅

机构

  • 4篇天津电子材料...

作者

  • 4篇孙毅之
  • 2篇郑庆瑜
  • 1篇冯玢
  • 1篇王良

传媒

  • 3篇固体电子学研...
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1993
  • 1篇1987
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
测定外延层电阻率的面接触方法研究
1993年
评论了美国科学家Ｃ．Ｃ．Ａｌｌｅｎ等于１９６６年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性，从而提出了本法文。本方法从理论上解一维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程并与Ｃ．Ｃ．Ａｌｌｅｎ法的公式相比较，获得某些公式。文中导出面接触方法雪崩击穿电压Ｖ＾∞Ｎα／Ｖ＾∞Ｂｐ＝０．４５６；同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为ｔｍｉｎｐ（μｍ）和面接触方法外延层耗尽层宽度Ｔｍｉａα（μｍ）的比值为Ｔｍｉｎ...
程元生朱坤宝夏瑞明王凤仙孙毅之鲁松年朱德平张海明
关键词：外延层电阻率点接触硅
剥离霍尔技术分析与实用中的问题被引量：1
1998年
根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F因子变化的主因是ρ（x，y）和θH（x，y）的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响，指出，当F因子随深度改变时，分析结果应该镇用；在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的，以作为利用分析结果的参考。
孙毅之冯玢郑庆瑜
半绝缘砷化镓的光淬灭对TSC的影响
2000年
实验研究了SI-GaAs材料中的EL2能级光淬灭对TSC谱的影响。EL2能级显著光淬灭后 ,TSC谱发生了明显的变化。一些TSC峰的高度明显降低甚至消失 ,在低温端TSC谱出现一些新的峰。
王良郑庆瑜孙毅之
关键词：热激电流砷化镓
三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型被引量：1
1987年
本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型,理论和实验结果吻合。
程元生朱坤宝夏瑞明孙毅之
关键词：硅外延雪崩击穿
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共1页<1>
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