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林茂

作品数：35 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇中文专利

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 12篇二极管
  • 10篇快恢复二极管
  • 9篇源区
  • 7篇多晶
  • 7篇多晶硅
  • 7篇氧化层
  • 6篇漂移区
  • 6篇金属阳极
  • 6篇晶体管
  • 5篇雪崩
  • 5篇光刻
  • 4篇压降
  • 4篇外延层
  • 4篇金属阴极
  • 4篇空穴
  • 4篇沟槽
  • 3篇电动
  • 3篇电动汽车
  • 3篇电动汽车用
  • 3篇阴极

机构

  • 35篇江苏宏微科技...

作者

  • 35篇林茂
  • 34篇戚丽娜
  • 31篇张景超
  • 30篇赵善麒
  • 19篇刘利峰
  • 7篇吴迪
  • 6篇王晓宝
  • 4篇钱锴

年份

  • 5篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 7篇2021
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种RC-IGBT的背面制备方法
本发明提供一种RC‑IGBT的背面制备方法，包括NFS背面注入使用两层光刻版，一层用于N+注入，一层用于P+注入，最终背面N+掺杂区呈T型结构，实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制Snapback...
戚丽娜张景超 俞义长 井亚会林茂 朱洪杰刘利峰赵善麒
沟槽式快恢复二极管及其制备方法
本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质层相...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
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新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法
本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
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一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0....
井亚会戚丽娜俞义长张景超林茂刘利峰赵善麒
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二极管器件
本实用新型提供一种二极管器件，所述二极管器件包括：阴极金属层；N+衬底，所述N+衬底位于所述阴极金属层之上；N‑漂移区，所述N‑漂移区外延形成于所述N+衬底之上；高阻抗元胞结构，所述高阻抗元胞结构为多个，多个所述高阻抗元...
张景超戚丽娜林茂井亚会俞义长赵善麒
一种RC‑IGBT的背面设计
本发明提供一种RC‑IGBT的背面设计，包括背面注入使用两层光刻版，一层用于N+注入，一层用于P+注入，最终背面N+掺杂区呈T型结构，实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制甚至是消除Snapback...
戚丽娜张景超 俞义长 井亚会林茂 朱洪杰刘利峰赵善麒
文献传递
一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
本实用新型属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距...
井亚会戚丽娜俞义长张景超林茂刘利峰赵善麒
文献传递
一种IGBT单管叠片封装结构
本实用新型涉及芯片封装技术领域，特别涉及一种IGBT单管叠片封装结构，包括第一底板、第一芯片、跳线板、第二芯片和第二底板，所述第一底板与集电极管脚相连，所述第一芯片通过第一焊料层与第一底板相连，所述第二芯片通过第一焊料层...
周昕林茂俞义长赵善麒
新型绝缘栅双极晶体管背面结构
本实用新型涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极。本实用新型将原背结构P型级发射区转变为P/N/P/N<...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
文献传递
快恢复二极管及其制备方法
本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括阴极金属层、硅片、场氧化层、阳极金属层，所述阴极金属层、所述硅片、所述场氧化层由下至上依次设置，所述硅片的上部具有有源区，所述场氧化层具有与所述有源区相对应的有...
林茂戚丽娜俞义长赵善麒
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