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洪美花: 作品数：8 被引量：0H指数：0; 供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>

合作作者

张志男北京京东方光电科技有限公司

作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域

文献类型

8篇中文专利

主题

6篇晶体管
6篇薄膜晶体
6篇薄膜晶体管
6篇TFT-LC...
4篇液晶
2篇导电薄膜
2篇钝化层
2篇液晶取向
2篇液晶显示
2篇液晶显示器
2篇折线形
2篇数据线
2篇透明导电
2篇透明导电薄膜
2篇涂布
2篇涂布工艺
2篇显示器
2篇显示器基板
2篇线形
2篇良品率

机构

8篇北京京东方光...

作者

8篇洪美花
4篇张志男

年份

1篇2012
3篇2011
2篇2010
2篇2009

共 8 条记录，以下是 1-8

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排序方式：

TFT－LCD像素结构及其制造方法: 本发明涉及一种TFT－LCD像素结构及其制造方法。TFT－LCD像素结构包括形成在像素区域内的像素电极，还包括水平设置在像素区域中部的栅线、相对于所述栅线垂直设置并位于所述像素区域外侧的数据线、分别设置在所述像素区域外侧...; 洪美花夏子祺; 文献传递

TFT-LCD像素结构及其制造方法: 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构及其制造方法。TFT-LCD像素结构包括形成在像素区域内的像素电极，还包括水平设置在像素区域中部的栅线、相对于所述栅线垂直设置并位于所述像素区域外侧的数据线、分别设置在所述像素区域外侧...; 洪美花夏子祺; 文献传递

液晶显示器基板、液晶显示器及制造方法: 本发明公开一种液晶显示器基板，包括：基板；栅线和栅电极；栅绝缘层；有源层；电阻接触层；源漏电极及数据线；其中数据线与栅线交叉定义一像素区域；钝化层，形成在源漏电极及数据线上方，并且在源漏电极的源极上方形成有接触孔；黑矩阵...; 夏子祺洪美花; 文献传递

IPS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法: 本发明涉及一种IPS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管，栅线和数据线为折线形且绝缘交叉设置，公共电极和像素电极为数个相互嵌套并间隔设置的菱形。制造方法包括：在基...; 夏子祺张志男洪美花; 文献传递

TFT-LCD像素结构及其制造方法: 本发明涉及一种TFT-LCD像素结构及其制造方法，结构包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，所述数据线位于每一像素单元的...; 洪美花夏子祺张志男; 文献传递

液晶显示器基板、液晶显示器及制造方法: 本发明公开一种液晶显示器基板，包括：基板；栅线和栅电极；栅绝缘层；有源层；电阻接触层；源漏电极及数据线；其中数据线与栅线交叉定义一像素区域；钝化层，形成在源漏电极及数据线上方，并且在源漏电极的源极上方形成有接触孔；黑矩阵...; 夏子祺洪美花; 文献传递

IPS型TFT－LCD阵列基板及其制造方法: 本发明涉及一种IPS型TFT－LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线、数据线、公共电极、像素电极和薄膜晶体管，栅线和数据线为折线形且绝缘交叉设置，公共电极和像素电极为数个相互嵌套并间隔设置的菱形。制造方法包括：在基...; 夏子祺张志男洪美花; 文献传递

TFT－LCD像素结构及其制造方法: 本发明涉及一种TFT－LCD像素结构及其制造方法，结构包括数据线、栅线、公共电极线、薄膜晶体管和像素电极，所述栅线与所述数据线交叉定义一像素单元，所述薄膜晶体管形成在所述栅线和数据线的交叉处，所述数据线位于每一像素单元的...; 洪美花夏子祺张志男; 文献传递

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