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解磊

作品数：17 被引量：11H指数：2
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金：中国工程物理研究院发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 7篇半导体
  • 5篇晶体管
  • 5篇剂量率
  • 4篇体效应
  • 4篇漏电
  • 4篇埋氧层
  • 4篇光电
  • 4篇光电流
  • 4篇耗尽型
  • 4篇浮体效应
  • 4篇半导体场效应...
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇电平
  • 3篇漂移
  • 3篇抗辐射
  • 3篇激光
  • 3篇剂量率效应

机构

  • 16篇中国工程物理...
  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 17篇解磊
  • 12篇代刚
  • 9篇刘鑫
  • 8篇梁堃
  • 8篇孙鹏
  • 6篇李顺
  • 5篇李沫
  • 2篇张健
  • 2篇宋宇
  • 1篇孙鹏

传媒

  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2007
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SOI器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究被引量：6
2017年
为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比,获得了本文实验条件下的辐射剂量率-激光能量模拟等效关系。结果表明,激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。
梁堃孙鹏李沫代刚李顺解磊
PDSOI NMOS器件激光模拟光电流效应
2021年
为获得N型金属氧化物半导体(NMOS)器件在γ射线辐照条件下的光电流特性,采用激光模拟技术,利用部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺NMOS器件进行激光照射试验,获得不同尺寸和拓扑结构器件在激光照射条件下光电流和激光入射能量之间的关系。利用TCAD仿真工具进行器件的光电流仿真,对比TCAD仿真与激光模拟试验数据,两组数据结果基本一致,验证了激光模拟技术的可行性和准确性。通过与理论计算得到的光电流进行对比,获得了理论计算与试验光电流之间的关系,并由此得到器件寄生双极晶体管在激光照射条件下的放大倍数。
任尚清王博博蒋春生钟乐孙鹏孙鹏
关键词：光电流
一种抗参数漂移反相器
本实用新型为一种抗参数漂移反相器，在保证功能正确的前提下，有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题，包括：低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移；该反相器结构具有：一个主反相器，一个补偿NMOS管，一条补偿支...
吕秋叶解磊彭勇杨任花钟乐刘鑫毛光
文献传递
一种抗参数漂移反相器
本发明为一种抗参数漂移反相器，在保证功能正确的前提下，有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题，包括：低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移；该反相器结构具有：一个主反相器，一个补偿NMOS管，一条补偿支路，...
吕秋叶解磊彭勇杨任花钟乐刘鑫毛光
文献传递
一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统
本发明公开了一种半导体器件辐射剂量率效应激光模拟系统，本发明属于半导体器件辐射效应研究领域。该模拟系统包括脉冲激光产生与调节系统、测试系统和控制系统。本发明利用聚焦物镜和激光扩束镜调节激光光斑尺寸，通过三轴精密运动平台控...
孙鹏李沫代刚宋宇李俊焘解磊梁堃张健
文献传递
中子单粒子效应TCAD仿真被引量：4
2015年
分析了核裂变与聚变情况下,典型能量的中子与半导体器件反应,所产生的次级粒子及其能谱分布。根据中子所能导致的最恶劣情况,讨论了65nm工艺尺寸下,半导体静态存储器的单粒子效应,并给出了TCAD仿真的结果。结果显示,商用6管单元难以避免中子单粒子效应的发生。双互锁存储单元(DICE)结构在高密度设计时,也由于电荷共享效应,发生了单粒子翻转。由于电荷共享效应难以用SPICE仿真的方法得到,TCAD仿真更适用于中子单粒子免疫的SRAM设计验证。最后,讨论了65nm工艺下,中子单粒子免疫的SRAM设计,指出6管单元加电容的方式,可能是更有竞争力的方案。
解磊代刚李顺梁堃
关键词：中子单粒子效应
一种SOIMOS管剂量率辐射SPICE宏模型建模法
本发明涉及一种SOIMOS管剂量率辐射SPICE宏模型建模法；本发明主要针对SOI MOS器件的剂量率辐射效应，利用宏模型技术将器件在各种不同条件下的辐射响应特性耦合到器件非辐射下的原始SPICE模型上，以形成包含了辐射...
梁堃李顺解磊孙鹏代刚李沫
具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了具有三段式埋氧层的半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管的埋氧层为三段式结构，body下面的BOX与源漏两端处BOX相分离，同时这三段BOX又将有源区和衬底相隔离；与传统SOI工艺相比，本发明body处的B...
毛光解磊代刚钟乐彭勇吕秋叶杨任花刘鑫
文献传递
一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计
本发明公开了一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，该测试系统设计包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；本...
解磊代刚李顺梁堃孙鹏刘鑫
文献传递
一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括硅底层、埋氧层和硅顶层，通过光刻在埋氧层上并在硅顶层侧面，进行离子注入等形成P+层，然后P+层上生长形成有氧化层，氧化层上分别生长硅层，用于形成漏极和...
毛光解磊代刚钟乐彭勇吕秋叶杨任花刘鑫
文献传递
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