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戎佳敏

作品数：8 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 4篇波导
  • 3篇晶体
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 3篇半导体
  • 2篇片上集成
  • 2篇倏逝波
  • 2篇亮度
  • 2篇光场
  • 2篇光场分布
  • 2篇光电
  • 2篇光电半导体
  • 2篇发散角
  • 2篇盖层
  • 2篇高亮
  • 2篇高亮度
  • 2篇GASB
  • 2篇侧模

机构

  • 8篇中国科学院长...
  • 3篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇王立军
  • 8篇佟存柱
  • 8篇汪丽杰
  • 8篇戎佳敏
  • 7篇田思聪
  • 2篇吴昊
  • 2篇王涛
  • 2篇舒世立
  • 1篇刘云
  • 1篇张宇
  • 1篇牛智川
  • 1篇赵帅

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法
基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型...
佟存柱王涛汪丽杰田思聪邢恩博戎佳敏卢泽丰王立军
基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器
基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、...
汪丽杰佟存柱田思聪舒世立吴昊戎佳敏王立军
文献传递
布拉格反射波导GaSb基半导体激光器
本发明提供一种布拉格反射波导GaSb基半导体激光器，该激光器由下至上依次包括：n面电极、GaSb衬底、下限制层、下波导层、第一中心腔、第二中心腔、上波导层、上限制层、盖层和p面电极，第一中心腔和第二中心腔内设有有源层；下...
佟存柱戎佳敏汪丽杰邢恩博田思聪刘云王立军
文献传递
2微米波段低发散角瓦级GaSb基宽区量子阱激光器（英文）被引量：2
2017年
通过在宽区GaSb基半导体激光器波导中引入鱼骨型微结构,实现了瓦级激光输出并且改善了侧向发散角.本文通过分析微结构的刻蚀深度对激光功率和远场特性的影响,研究并发现了微结构的引入可以明显的提高激光器输出功率,同时深刻蚀的微结构对降低模式数和侧向发散角有着更明显的改善作用.相比于未引入微结构的激光器,引入深刻蚀微结构的宽区激光器侧向95%功率定义的远场发散角降低了大约57%,并且实现了超过1.1 W的最大连续输出功率.
邢恩博戎佳敏张宇佟存柱田思聪汪丽杰舒适立卢泽丰牛智川王立军
关键词：微结构远场发散角
基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法
基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型...
佟存柱王涛汪丽杰田思聪邢恩博戎佳敏卢泽丰王立军
文献传递
基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器
基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，属于光电子技术领域，为了克服现有技术的不足，基于模式增益损耗调控的高亮度半导体激光器，其结构由下至上依次为N面电极、衬底、缓冲层、N型包层、N型波导、有源区、P型波导、P型包层、...
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文献传递
2 μm GaSb基低垂直发散角布拉格反射波导激光器优化设计被引量：4
2015年
为实现2μm低发散角激光,提出在Ga Sb基半导体激光器中引入布拉格反射波导,利用光子带隙效应替代传统的全反射进行光场限制。研究了分布反馈反射镜(DBR)的厚度、对数、高低折射率DBR厚度比以及中心腔厚度等参数对激光器垂直远场发散角和光限制因子的影响。结果表明:垂直远场发散角随单对DBR厚度的增加而减小;光限制因子与远场发散角都随拉格反射镜对数的增加而减小,随高低折射率DBR厚度比的减小而增大;随着中心层厚度的增大,光限制因子减小而远场发散角增大。最终在理论上优化设计出了一种双边布拉格反射波导结构的超低垂直发散角2μm Ga Sb基边发射半导体激光器,其垂直远场发散角可降低到10°以下。
戎佳敏邢恩博赵帅汪丽杰王立军佟存柱
关键词：GASB
微腔效应对于1.3μm量子点光子晶体纳腔激光器调制响应的影响（英文）被引量：1
2017年
微腔效应可以提高自发辐射速率,从而起到有效的改善响应调制速率的作用.然而,对于1.3μm GaAs/InAs量子点光子晶体激光器而言,调制速率还会受到复杂的载流子动力学以及更近的空穴能级间隔的影响.因此基于全路径载流子弛豫动力学方程,计算并讨论了腔品质因子(Q)对于阈值和响应调制特性的影响.计算结果表明,高的Q值能够明显改善量子点光子晶体激光器的阈值,但是同时快速增长的光子寿命会导致调制带宽的恶化.所以,存在一个优化的Q值(2500)可以获得超过100 GHz的调制带宽,而当Q值为7 000时,对应的能量传输损耗最低.因此,在量子点光子晶体纳腔激光器的设计中,更全面的考虑各方面的因素对器件的性能的影响,对于获得高速调制低功耗的量子点激光器器件是十分有意义的.
邢恩博戎佳敏佟存柱田思聪汪丽杰舒适立王立军
关键词：调制响应光子晶体激光器量子点速率方程
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