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陈韬

作品数：15 被引量：17H指数：3
供职机构：华莹电子有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 6篇功率管
  • 5篇GAN
  • 4篇功率
  • 3篇氮化镓
  • 3篇微波功率管
  • 3篇P波段
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇直流特性
  • 2篇射频
  • 2篇迁移率
  • 2篇内匹配
  • 2篇晶体管
  • 2篇放大器
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇GAN_HE...
  • 2篇场板
  • 2篇高功率
  • 1篇低温合金
  • 1篇电力

机构

  • 12篇南京电子器件...
  • 5篇华莹电子有限...
  • 1篇南京国博电子...

作者

  • 15篇陈韬
  • 4篇陈堂胜
  • 3篇唐世军
  • 3篇夏前亮
  • 3篇林罡
  • 3篇魏星
  • 2篇胡建学
  • 2篇李忠辉
  • 2篇钟世昌
  • 2篇蒋浩
  • 2篇彭大青
  • 2篇杨兴
  • 1篇彭劲松
  • 1篇李相光
  • 1篇徐永刚
  • 1篇崔坤
  • 1篇王建浩
  • 1篇周立勇
  • 1篇李勇
  • 1篇朱卫俊

传媒

  • 10篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
X波段400 W GaN内匹配功率管被引量：6
2018年
报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。
唐世军顾黎明陈韬彭劲松
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管X波段
GaN HEMT器件^(60)Co-γ辐照效应研究
2023年
研究了总剂量4 Mrad(Si)^(60)Co-γ辐照对AlGaN/GaN HEMT器件的影响,器件在辐照过程中采用不同的加电方式。辐照过程会增加器件的栅泄漏电流,但辐照终止后电流快速恢复至初始状态。对比辐照前后的直流性能,器件的肖特基势垒高度、阈值电压、漏电流、跨导等未出现退化问题。实验结果表明,基于自主开发的GaN标准工艺平台所制备AlGaN/GaN HEMT器件,具有稳定可靠的^(60)Co-γ抗辐照能力。
邵国键赵玉峰王金周书同陈韬景少红钟世昌
关键词：辐照效应总剂量辐照肖特基势垒阈值电压跨导
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
2017年
报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。
陈韬陈志勇蒋浩魏星杨兴陈新宇李忠辉陈堂胜
关键词：氮化镓微波功率管场板
帽层结构对GaN HEMT器件性能的影响
2020年
为改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HEMT器件的外延层表面分别生长了2 nm i-GaN和2 nm n-GaN/2 nm iGaN,得到非掺杂帽层结构和掺杂帽层结构。针对这两种帽层结构,研究对器件直流特性、微波特性及可靠性的影响,并与传统结构器件性能进行对比。非掺杂帽层器件的饱和电流、漏电水平、输出功率、功率附加效率以及高温、高电场、高电流稳定性均优于传统器件,但跨导与传统器件相当,微波压缩特性不足。而掺杂帽层器件漏电水平最好,但直流和微波性能不佳。
邵国键林罡白霖施尚周舟魏星刘柱陈韬
关键词：GAN高电子迁移率晶体管直流特性微波特性
栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究
2022年
GaN HEMT器件在使用中会发生突发烧毁的现象,这种失效与缺陷是正相关的,其中一种已知的缺陷为栅结构缺陷。通过直流特性测试、器件热分布、微区分析讨论了栅结构缺陷对器件性能的影响。势垒特性、击穿特性均无法表征出栅结构异常的器件,低漏压的转移特性也无明显差异,仅高漏压条件下的阈值电压能够表现出明显的变化,而且漏压越高阈值电压变化量越大。器件热分布图像能够定位出器件异常栅结构的位置,且高漏压比高电流更能够表征异常器件的缺陷位置。微区分析准确定位了异常栅结构缺陷的具体形貌和位置,为缺陷的工艺优化提供指导。
邵国键陈正廉林罡俞勇沈杰陈韬刘柱
关键词：直流特性热分布微区分析
通信用宽带放大器的设计与实现
本文基于南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT工艺平台,在陶瓷基片上利用多级阻抗变换的方法对宽带放大器的输入和输出匹配电路进行设计并实现。放大器的有源芯片为一枚12mm栅宽的GaN器件。完整的无源和有源电路烧...
钟世昌唐世军陈韬周书同
关键词：超宽带GAN放大器功率
降低无线传感应用中柜间射频干扰的电力开关柜
本实用新型属于电力行业智能电网，无线遥测子系统，具体而言，涉及一种降低无线传感应用中柜间射频干扰的电力开关柜。本实用新型公开了降低无线传感应用中柜间射频干扰的电力开关柜，包括母线室、断路器室、电缆室和仪表室，其特征在于：...
夏前亮胡建学陈韬周立勇
文献传递
C波段400W GaN内匹配功率管研制被引量：5
2018年
基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
徐永刚顾黎明汤茗凯唐世军陈晓青刘柱陈韬
关键词：内匹配功率放大器C波段
高平整度GaN HEMT欧姆接触工艺
2015年
研究了不同金属体系对GaN HEMT欧姆接触表面形貌、击穿电压的影响。研究了不同合金温度以及不同金属体系对接触特性的影响,通过对金属体系结构的优化改善了欧姆接触特性及形貌。采用Ti/Al/Pd/Au(10/200/40/50nm)金属,在750℃合金温度时,得到较低的接触电阻,最小值达到0.18Ω·mm,欧姆接触电极表面粗糙度降低到0.4nm。良好的欧姆接触形貌使GaN HEMT击穿电压提高了10%。通过加速电迁移实验,证明Ti/Al/Pd/Au金属体系可靠性满足工程化需要。
陈韬蒋浩陈堂胜
关键词：低温合金欧姆接触
失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究
2021年
失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响。结果表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱,器件的最高结温越小。进一步测试器件内部左、中、右三个位置的最高结温分布,器件不同位置的最高结温分布受匹配状态、相位、输出功率等影响较大。在不同占空比工作条件下,器件内部不同位置的最高结温分布各不相同,且温升差异更大。
邵国键陈正廉林罡张茗川王云燕刘柱陈韬
关键词：失配电致发光温升
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