公共文化服务平台

张志浩: 作品数：16 被引量：37H指数：4; 供职机构：广东工业大学信息工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

SOI和pHEMT双刀五掷开关对比设计与实现: 2015年; 采用0.32μm CMOS-SOI工艺和D-mode 0.5μm GaAs pHEMT工艺设计了同一款双刀五掷射频开关,CMOS-SOI开关的设计应用了负压偏置电路和堆叠管子技术实现,GaAs pHEMT版本采用直流电压悬浮技术和三栅管与前馈电容技术实现。在0.9 GHz和1.9 GHz时,SOI和pHEMT开关的插入损耗分别为0.41dB/0.65dB和0.27dB/0.52dB,隔离度分别为26.9dB/25.7dB和24.1dB/31.3dB。两个版本在输入功率为28dBm且频率为1.9GHz时,二次、三次谐波均小于-49dBm。; 张志浩黄亮余凯章国豪; 关键词：绝缘硅高电子迁移率晶体管插入损耗

基于变压器耦合的2.6GHz功率放大器的设计: 2022年; 基于InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款工作频率为2.6 GHz的功率放大器。其输出匹配网络由片外变压器及调谐电容组成,与传统的LC输出匹配网络相比,该匹配网络具有更低的插入损耗和更宽的带宽。功率放大器主体采用伪差分结构,通过变压器耦合进行单端口和差分端口之间的阻抗变换。实测结果表明,在2.6 GHz时,该功率放大器的增益达到了34 dB,饱和输出功率为33.6 dBm,峰值功率附加效率为32%。当输出功率为25 dBm时,邻近信道功率比约为-47 dBc。; 颜景张志浩彭林关宇涵陈哲章国豪; 关键词：变压器功率放大器功率合成

基于有源反馈补偿的快速瞬态响应LDO设计: 2022年; 为实现全负载范围的稳定性并增强瞬态响应性能,设计了一款基于有源反馈频率补偿的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。有源反馈将通过补偿电容的信号放大,有效减小了补偿电容的大小。采用自适应偏置电路检测负载变化来提高瞬态响应,同时结合电容耦合方式的瞬态增强电路给功率管栅极提供额外的泄放路径,进一步减小轻载到重载切换时的下冲电压值。电路设计基于SMIC 180 nm BCD工艺,实现了输入电压范围为1.4~2 V,输出电压为1.2 V。仿真结果表明,当负载电容为100 pF时,在0.5μs时间内负载由0到100 mA之间跳变,输出电压的最大过冲值和下冲值分别为102.5 mV和160.5 mV,恢复时间分别为1.6μs和1μs。; 陈昶刘斌张志浩章国豪; 关键词：自适应偏置电容耦合低压差线性稳压器

一种带有温度补偿电路的射频功率放大器被引量：8: 2015年; 针对无线通信应用的射频功率放大器,提出了一种新颖的温度补偿电路。应用该温度补偿电路,设计了一款基于In Ga P/Ga As HBT工艺的两级F类功率放大器。该功率放大器采用了带温度补偿特性的有源偏置电路,能有效地提高线性度,补偿温度引起的性能偏差;输出匹配网络采用F类功率放大器谐波理论而设计。在1 920~1 980 MHz频段和电源电压3.4 V条件下,测得常温状态该功率放大器增益为27 d B;输出功率在28 d Bm时功率附加效率达到42%,邻信道功率比为?36 d Bc;在?20℃~80℃之间功率附加效率和邻信道功率比基本不变。; 黄亮章国豪张志浩李思臻; 关键词：F类谐波抑制功率放大器温度补偿

一种新型高精度电流检测电路的设计被引量：3: 2021年; 针对待检测的负载电阻在实际电路中存在偏差问题,提出新型轨到轨电流检测电路。利用对称的轨到轨跨导运放电路,将输入电压转化成电流,通过两级运放组成的负反馈电路,将电流输出。该电流检测电路增加了输入电压范围,也没有了传统串联电阻检测结构的采样保持支路,并且对待检测电阻进行步进设计来减小误差,进一步提高检测电路的精度。该电路采用GLOBALFOUNDRIES 0.13μm RF SOI-CMOS工艺实现,工作电压为5 V,启动时间为27 ns,静态功耗为1.17 mW,电流检测电路检测精度高达99.43%。; 杨朝龙刘斌张志浩章国豪; 关键词：电流检测

CMOS射频功率放大器高效率和高线性度研究进展被引量：7: 2015年; CMOS工艺价格低廉且兼容基带工艺,是单片集成电路的理想材料。根据现代无线通信系统所采用的调制方式对功率放大器的性能要求,重点介绍了功率放大器的效率和线性增强技术,比较了相应技术间的优点和缺点,最后阐述包络放大器的发展趋势及其在LTE(4G)的应用。; 林俊明郑耀华张志浩章国豪; 关键词：功率放大器线性度 CMOS

2.3-2.7GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计被引量：1: 2021年; 基于GaAs pHEMT工艺设计了一款2.3~2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片。该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器。一方面,采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式,将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分,一体化优化设计获得最少元件及较高Q值的输入匹配网络,进而实现低噪声、高增益和良好的输入回波损耗匹配;另一方面,采用多组开关联合实现了旁路功能用于衰减高输入功率的射频信号。测试结果表明,在2.3~2.7 GHz的宽频带范围内,实现的接收前端芯片在LNA模式下的噪声系数可达到1.53~1.64 dB的较低水平,且增益在18.1~19.2 dB之间,在2.5 GHz时输入1 dB压缩点为-1.5 dBm;在旁路模式下,插入损耗在工作频段内维持在约6~7 dB的水平。; 饶忠君张志浩章国豪; 关键词：低噪声放大器低噪声双模式

基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关: 2021年; 介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构,每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成,并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理,可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷(SPDT)开关芯片,整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明,在23~30 GHz频率范围内,该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB,隔离度大于23 dB,输入输出回波损耗均大于10 dB.; 张艺张志浩章国豪; 关键词：毫米波单刀双掷开关

基于周期性加载慢波结构的双频Wilkinson功分器的设计被引量：1: 2016年; 针对传统Wilkinson功分器尺寸大且工作频率只局限于基波及其奇次谐波的问题,通过采用级联两条不同特性阻抗的周期性电容加载的传输线代替传统的1/4波长阻抗变换器,并结合RLC并联谐振网络,设计一种适用于任意两个频率的Wilkinson功分器,从而显著减小了功分器的尺寸。最后基于FR4基板,设计应用于900 MHz和1.8 GHz的双频Wilkin-son功分器。测量结果显示,功分器的三端口电路匹配良好,在900 MHz,S11约为-25 d B,S22约为-26 d B,S21约为-3.23 d B;在1.8 GHz,S11约为-23 d B,S22约为-17.5 d B,S21约为-3.39 d B;在两个频点下,输出端口的隔离度分别为-27 d B和-23 d B,仿真结果和测量结果吻合,验证了该方法的可行性和实用性。; 林俊明郑耀华张志浩章国豪; 关键词：双频功分器

一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源设计被引量：5: 2021年; 基于带隙基准原理,在自偏置共源共栅结构的基础上对传统带隙基准电路进行改进,通过在带隙核心电路中加入对应的NMOS管和PMOS管,构成一个三层叠共源共栅结构,显著提高了带隙基准源的电源电压抑制比。电路采用0.2μm的SOI工艺实现,实验室测试结果表明,该带隙基准电压源电路正常工作时输出基准电压为1.188 V,温度系数为5.4×10^(-6)/℃,启动时间约为2.2μs。; 刘小妮刘斌张志浩章国豪; 关键词：带隙基准自偏置电源电压抑制比

张志浩

合作作者

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户反馈

张志浩

合作作者

文献类型

领域

主题

机构

作者

传媒

年份

用户登录

用户反馈