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杨美娟

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：广东省重大科技专项更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 14篇衬底
  • 6篇铝酸锶
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米阵列
  • 6篇非掺杂
  • 6篇尺寸可控
  • 3篇多量子阱
  • 3篇晶格
  • 3篇晶态
  • 3篇发光
  • 3篇发光性
  • 3篇发光性能
  • 3篇非极性
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶态
  • 3篇钪
  • 3篇锂
  • 3篇镓
  • 3篇INGAN/...
  • 3篇超晶格

机构

  • 18篇华南理工大学

作者

  • 18篇杨美娟
  • 17篇李国强
  • 10篇王文樑
  • 7篇林云昊
  • 3篇李媛
  • 2篇张云鹏
  • 1篇林志霆

传媒

  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InG...
李国强王文樑杨美娟林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法
本发明属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN...
李国强王文樑杨美娟
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法
本发明属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr...
李国强杨美娟林云昊李媛
生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED
本实用新型属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模...
李国强王文樑杨美娟
文献传递
Si衬底上高质量AlN外延薄膜的MOCVD生长研究
第三代半导体材料是我国十三五规划的重要组成部分,作为第三代半导体材料的AlN是一种性能优异的Ⅲ-V族氮化物材料,具有宽的禁带宽度、高的表面声波速度以及高的热导率,成为紫外与深紫外光电子器件、表面声波器件、集成电路绝缘层等...
杨美娟
关键词：SI衬底晶体质量表面形貌
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱
本实用新型属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La<Sub>0.3</Sub>Sr<Sub...
李国强杨美娟林云昊李媛
文献传递
一种LED图形优化封装基板、LED封装体
本实用新型公开了一种LED图形优化封装基板，所述封装基板上设有倒圆锥凹槽图案，所述倒圆锥凹槽的底面半径为0.3～1mm，倒圆锥凹槽倾角为45°～75°，相邻倒圆锥凹槽的中心间距为0.5～1mm；所述封装基板的水平表面及倒...
李国强杨美娟凌嘉辉张云鹏
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法
本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InG...
李国强王文樑杨美娟林云昊
文献传递
生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法
本发明属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN...
李国强王文樑杨美娟
文献传递
H_2气氛对采用MOCVD法在Si衬底上外延生长AlN薄膜性能的影响
2016年
采用金属有机化合物气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上外延生长AlN薄膜,用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和原子力显微镜对外延生长所得AlN薄膜的性能进行表征,并研究了适量H_2的引入对AlN薄膜的晶体结构和表面形貌的影响.结果表明:在Si衬底上外延生长AlN薄膜过程中引入适量H_2,有利于提高AlN岛间愈合程度,薄膜表面缺陷减少,表面粗糙度由4.0nm减少至2.1nm;适量H_2的引入可使AlN薄膜的(0002)和(10-12)面的X射线摇摆曲线的半峰宽(FWHM)值从0.7"及1.1"分别减小到0.6"和0.9",即刃型穿透位错密度和螺型穿透位错密度减少.
杨美娟林云昊王文樑林志霆李国强
关键词：SI衬底ALN薄膜H2MOCVD
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