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黄建强

作品数：28 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 14篇阈值电压
  • 12篇驱动电流
  • 8篇氧化层
  • 8篇栅氧化
  • 8篇栅氧化层
  • 8篇本征
  • 6篇电路
  • 6篇总剂量
  • 6篇接触区
  • 6篇N型
  • 6篇P型
  • 5篇射频
  • 4篇低功耗
  • 4篇电路设计
  • 4篇电压
  • 4篇电阻
  • 4篇多晶
  • 4篇寄生电阻
  • 4篇建模方法
  • 4篇工作电压

机构

  • 28篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 28篇罗杰馨
  • 28篇陈静
  • 28篇何伟伟
  • 28篇黄建强
  • 26篇吕凯
  • 26篇柴展
  • 23篇王曦
  • 2篇林泽

传媒

  • 1篇电子设计工程

年份

  • 2篇2020
  • 7篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 7篇2016
  • 4篇2015
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，所述P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该P型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个PMOS管和两个二极管，两个PMOS管共用体区，所...
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文献传递
一种MOSFET的建模方法
本发明提供一种MOSFET的建模方法，包括步骤：首先，获得模型的源漏寄生电阻；然后，将获得的模型的源漏寄生电阻挂到DC模型上，进行IV/CV特性拟合；最后，当IV/CV特性拟合精度满足要求时，进行S参数的拟合，直至S参数...
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文献传递
一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法
本发明提供一种抗总剂量效应的SOI MOS器件及其制作方法，所述SOI MOS器件的源区采用加固源区，其结构由中上部分的重掺杂第一导电类型区、从纵向两端及底部包围所述重掺杂第一导电类型区的重掺杂第二导电类型区以及浅第一导...
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文献传递
SOI动态阈值晶体管
本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低...
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多叉指栅极结构MOSFET的版图设计
本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
文献传递
一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法
本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提...
陈静黄建强罗杰馨柴展吕凯何伟伟
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N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形...
陈静吕凯罗杰馨柴展何伟伟黄建强王曦
文献传递
P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法
本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺...
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