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王楠

作品数:9 被引量:7H指数:2
供职机构:江苏师范大学更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇电极
  • 4篇电路
  • 3篇微电极
  • 2篇电路系统
  • 2篇电子器件
  • 2篇电子源
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇锁相放大
  • 2篇锁相放大器
  • 2篇平板显示
  • 2篇装配过程
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子器件
  • 2篇纳米线
  • 2篇加法器
  • 2篇发射电流
  • 2篇场发射平板显...
  • 1篇电导

机构

  • 8篇江苏师范大学
  • 2篇上海交通大学
  • 1篇上海海洋大学

作者

  • 9篇王楠
  • 8篇赵波
  • 5篇姜国华
  • 2篇齐红霞
  • 1篇汪辉
  • 1篇刘畅
  • 1篇苏言杰
  • 1篇刘璇
  • 1篇张亚非

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法
本发明公开了一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,包括如下步骤:在平面衬底上涂敷一层光刻胶;对光刻胶进行图形化,在衬底上暴露需要制备场发射点的区域;镀覆金属薄膜;在金属薄膜上磁场辅助沉降镍纳米颗粒;在真空炉中进行热...
赵波王楠姜国华
文献传递
集成电路互连引线的研究进展被引量:4
2015年
综述了集成电路互连引线的发展历史以及研究进展,从最初的铝互连引线到现在主流的铜互连引线,再到下一代碳纳米管互连引线。首先,介绍了铝作为互连引线材料的优点与其所存在的缺陷及改进方法,例如电迁移现象等问题的形成原因以及相应的克服方法。然后,探究了铜在互连方面的相关性质,分析了铜取代铝作为互连线材料的原因,并重点研究了制备铜互连线的双镶嵌工艺流程以及相关技术。最后,指出了铜互连线发展中存在的问题,讨论了碳纳米管作为下一代互连引线材料所具有的优势及其所面临的挑战,介绍了碳纳米管电子器件装配以及焊接的相关技术。
姜国华王楠赵波
关键词:互连
一种装配纳米电子器件的方法
一种装配纳米电子器件的方法,包括如下步骤:搭建用于装配纳米电子器件的电路系统;高低频交流电源中的高低频电流经过加法器叠加之后经过电键连接微电极对的一端,微电极对的另一端连接滤波电路滤掉不用的高频波段,再经过I/V转换电路...
赵波姜国华王楠
文献传递
一种纳米呼吸传感器及其制备方法
一种纳米呼吸传感器及其制备方法,属传感器技术领域。本发明包括敏感单元和恒压传感电路,敏感单元微电极对的一端接入恒压电源,另一端接入放大器,电流放大后经模拟/数字转换器接入单片机,信号经处理后可由存储器进行存储,并由液晶显...
赵波王楠齐红霞
文献传递
金刚石颗粒与硅基底的超声焊接及场发射性能(英文)
2015年
采用一种超声焊接工艺,通过施加纳米幅度的超声水平振动将金刚石颗粒牢固地焊接于硅基底表面。在此过程中超声力小于硅所能承受的剪切应力,使硅表面得以发生超声软化进而促成焊接的形成。焊接界面的分析结果表明硅与金刚石颗粒之间的连接不仅仅是机械嵌合,还包括原子之间的键合。当焊接时间为5 s、振幅为500 nm时形成了稳固的纳米焊接。焊接后的金刚石场发射阴极获得了较低的开启场强(电流密度为1μA/cm2时的场强)1.4 V/μm,并且当电场强度达到9.6 V/μm时,可获得到高达1 mA/cm2的电流密度。
刘畅苏言杰王楠赵波刘璇张亚非
关键词:场发射阴极金刚石颗粒场发射
一种装配纳米电子器件的方法
一种装配纳米电子器件的方法,包括如下步骤:搭建用于装配纳米电子器件的电路系统;高低频交流电源中的高低频电流经过加法器叠加之后经过电键连接微电极对的一端,微电极对的另一端连接滤波电路滤掉不用的高频波段,再经过I/V转换电路...
赵波姜国华王楠
文献传递
一种纳米呼吸传感器及其制备方法
一种纳米呼吸传感器及其制备方法,属传感器技术领域。本发明包括敏感单元和恒压传感电路,敏感单元微电极对的一端接入恒压电源,另一端接入放大器,电流放大后经模拟/数字转换器接入单片机,信号经处理后可由存储器进行存储,并由液晶显...
赵波王楠齐红霞
文献传递
一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法
本发明公开了一种氧化石墨烯的场发射平板显示仪的制备方法,包括如下步骤:在平面衬底上涂敷一层光刻胶;对光刻胶进行图形化,在衬底上暴露需要制备场发射点的区域;镀覆金属薄膜;在金属薄膜上磁场辅助沉降镍纳米颗粒;在真空炉中进行热...
赵波王楠姜国华
高k栅介质的可靠性问题被引量:3
2009年
随着集成电路特征尺寸的不断缩短,利用先进的高k/金属栅堆叠来取代传统的SiO2/多晶硅栅结构成为微电子技术发展的必然,确保这些新的栅极堆叠类型具有足够的可靠性是非常重要的。综述了高k栅介质可靠性的研究现状,阐明了瞬态充电效应导致的阈值电压不可靠问题,对偏压温度不稳定现象(BTI)和高k击穿特性进行了探讨。
王楠汪辉
关键词:高介电常数金属栅
共1页<1>
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