金帅
- 作品数:13 被引量:10H指数:2
- 供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- 一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法
- 本发明涉及纳米结构金属材料领域,具体地说是一种<111>织构纳米孪晶Cu块体材料及制备方法,其微观结构由柱状晶粒组成,晶粒尺寸在1-50微米范围内,各晶粒内部均匀分布着高密度的纳米孪晶片层结构,孪晶片层的厚度...
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- 一种纳米孪晶铜箔及其制备方法
- 本发明公开了一种纳米孪晶铜箔及其制备方法,属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该铜箔内部微观结构由柱状晶粒组成,自下而上,柱状晶粒尺寸由纳米量级逐渐增加到微...
- 卢磊程钊金帅
- 一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法
- 本发明公开了一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该材料采用直流电解沉积技术制备,微观结构由微米级的柱状晶粒组成,柱状晶粒内存在纳米级的孪晶片层;在垂直于沉积面的方向上晶粒尺寸、孪...
- 卢磊程钊金帅
- 文献传递
- 一种高延伸性电解铜箔及其制备方法
- 本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法,属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔,再对纳米孪晶铜箔进行退火处理,即获得所述高延伸性电解铜箔,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该...
- 卢磊程钊金帅
- 文献传递
- 一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法
- 本发明公开了一种梯度纳米孪晶铜块体材料及其温度控制制备方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该材料采用直流电解沉积技术制备,微观结构由微米级的柱状晶粒组成,柱状晶粒内存在纳米级的孪晶片层;在垂直于沉积面的方向上晶粒尺寸、孪...
- 卢磊程钊金帅
- 文献传递
- 一种高延伸性电解铜箔及其制备方法
- 本发明公开了一种高延伸性电解铜箔以及制备方法,属于覆铜板用电解铜箔制备技术领域。首先通过直流电解沉积技术制备纳米孪晶铜箔,再对纳米孪晶铜箔进行退火处理,即获得所述高延伸性电解铜箔,其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该...
- 卢磊程钊金帅
- 电解液温度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响被引量:1
- 2018年
- 通过控制直流电解沉积电解液温度制备出不同微观结构的块体纳米孪晶Cu样品。结果表明,当电解液温度由313 K降低至293 K,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸由27.6 mm减小至2.8 mm,平均孪晶片层厚度由111 nm减小至28 nm。电化学测试表明,降低温度减缓了纳米孪晶Cu沉积的电化学过程,使阴极过电位增大,引起晶粒和孪晶的形核率增加,从而使晶粒尺寸和孪晶片层厚度同时减小。
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- 关键词:阴极过电位微观结构
- 一种通过改变金属材料梯度纳米孪晶结构提高材料力学性能的方法
- 本发明公开了一种通过改变金属材料梯度纳米孪晶结构提高材料力学性能的方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该方法是利用金属材料微观结构与力学性能的内在规律来提高材料力学性能;所述金属材料具有梯度纳米孪晶结构,所述金属材料微观...
- 卢磊程钊金帅
- 文献传递
- 电流密度对直流电解沉积纳米孪晶Cu微观结构的影响被引量:7
- 2013年
- 采用直流电解沉积技术,制备出具有高密度择优取向的纳米孪晶结构块体Cu样品.样品由微米级柱状晶粒构成,晶粒内有高密度的平行于生长基面的共格孪晶界面.研究发现,电流密度对于纳米孪晶Cu的晶粒尺寸有明显影响,但对其织构和孪晶片层厚度影响不大.当电流密度从10 mA/cm^2增加到30 mA/cm^2,纳米孪晶Cu的平均晶粒尺寸从10.1μm减小到4.2um,孪晶片层厚度为30-50 nm.其原因是随电流密度的增加,阴极的过电位增大,从而使晶粒细化.
- 金帅潘庆松卢磊
- 关键词:CU电流密度纳米孪晶晶粒尺寸
- 一种通过改变金属材料梯度纳米孪晶结构提高材料力学性能的方法
- 本发明公开了一种通过改变金属材料梯度纳米孪晶结构提高材料力学性能的方法,属于纳米结构金属材料技术领域。该方法是利用金属材料微观结构与力学性能的内在规律来提高材料力学性能;所述金属材料具有梯度纳米孪晶结构,所述金属材料微观...
- 卢磊程钊金帅