胡晓龙
- 作品数：50 被引量：26H指数：4
- 供职机构：华南理工大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法
- 本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成...
- 胡晓龙王洪齐赵毅黄华茂
- 基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件
- 本实用新型涉及基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件，该绿光器件利用Tamm等离激元来提高绿光器件的发光效率，在器件结构上通过在有源区下方采用分布布拉格反射镜(DBR)，并在有源区的上面设置p型接触层，并通过控制p型接触层...
- 胡晓龙郑义栋肖福安齐卓豪
- 文献传递
- 金属掺杂ITO透明导电薄膜的制备及应用
- 2018年
- 研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜。通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500℃和600℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14mil×28mil正装395nm UV LED芯片。利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比。实验结果表明:掺3nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600℃退火后方块电阻最大降低6.2Ω/,透过率在395nm处最大达91.2%。在120mA注入电流下,395nmLED电压降低0.5V,功率提升19.7%。ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能。
- 文如莲胡晓龙梁思炜王洪
- 关键词：导电薄膜退火
- 一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法
- 本发明公开一种高光萃取效率的近紫外LED芯片及其制备方法。LED芯片的结构从下到上依次为金属基板、电镀种子层、反射电极层、p型氮化镓层、有源层、n型氮化镓层、二维光子晶体结构和n型金属电极；所述金属基板由高导热的金属组成...
- 胡晓龙王洪齐赵毅黄华茂
- 文献传递
- 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法
- 本发明公开基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，包括：在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并制作新的支撑基底；在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；将放置有掩膜板...
- 胡晓龙王洪黄华茂
- 文献传递
- 新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明公开了新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法。本发明的透明导电薄膜是通过先生长一层ITO薄膜后生长掺杂金属薄膜，再一起通过高温退火后而形成，得到的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上，具有更大的薄膜光学透过率...
- 王洪胡晓龙文茹莲
- 文献传递
- 基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件
- 本发明涉及基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件，该绿光器件利用Tamm等离激元来提高绿光器件的发光效率，在器件结构上通过在有源区下方采用分布布拉格反射镜(DBR)，并在有源区的上面设置p型接触层，并通过控制p型接触层的厚...
- 胡晓龙郑义栋肖福安齐卓豪
- 一种高效SPP耦合器及其制作方法
- 本发明为一种高效SPP高效耦合器及其制备方法，其耦合器包括衬底、金属薄膜层、介质薄膜层、介质光栅层、非对称金属光栅结构；金属薄膜层与衬底连接，介质薄膜层分别与金属薄膜层、介质光栅层、非对称金属光栅结构连接。本发明可实现介...
- 胡晓龙梁旭陈冠华
- 文献传递
- 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法
- 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n...
- 张保平胡晓龙刘文杰张江勇应磊莹
- 文献传递
- 激光剥离GaN表面的抛光技术被引量：1
- 2014年
- 激光剥离(LLO)技术是研制新型氮化镓(GaN)基谐振腔结构光电子器件的关键技术。然而LLO后的GaN表面往往具有较大的粗糙度,而制作谐振腔结构器件需要很高的表面平整度,因此需要对LLO后的GaN表面进行抛光。分别采用金刚石粉抛光液和胶粒二氧化硅抛光液进行机械抛光和化学机械抛光(CMP),并对比了两种方法获得的抛光结果,研究发现前者会在抛光后的GaN表面引入划痕,而采用后者可以得到亚纳米级平整度的表面。进一步的实验结果表明,胶粒二氧化硅抛光液同样适用于图形化衬底外延片激光剥离后的GaN表面抛光。
- 应磊莹刘文杰张江勇胡晓龙张保平
- 关键词：GAN
