刘传珍
- 作品数：6 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划吉林省杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备与性能研究
- 在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电学性能测试等方法对所制备多晶硅薄膜材料的结构与性能进行了研究.
- 邱法斌张玉骆文生刘传珍荆海黄锡珉
- 关键词：激光烧结多晶硅薄膜
- 文献传递
- 低温p-Si薄膜的制备研究被引量：2
- 2001年
- 引言
近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头.在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD整体的重量和厚度将会大幅度的减少.
- 荆海邱法斌刘传珍付国柱
- 关键词：多晶硅薄膜
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
- 2000年
- 利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
- 刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
- 关键词：晶化多晶硅薄膜退火
- 低温多晶硅材料及其器件的研究
- 多晶硅薄膜晶体管（p-SiTFT）液晶显示器可以实现高分辨率、高度集成同时有效降低显示器的功耗，因而成为目前有源矩阵液晶显示领域主要研究方向。本论文系统地研究了低温p-Si材料的制备以及TFT器件设计和制作工艺。本文采用...
- 刘传珍
- 关键词：多晶硅薄膜液晶显示器晶化机理
- 文献传递
- 准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备被引量：10
- 2001年
- 在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率 ,有利于获得高质量的多晶硅薄膜。
- 邱法斌骆文生张玉刘传珍荆海黄锡珉
- 关键词：多晶硅膜玻璃衬底
- 激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究被引量：25
- 2000年
- 利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。
- 刘传珍杨柏梁李牧菊吴渊张玉张玉邱法斌邱法斌
- 关键词：激光退火能量密度多晶硅薄膜
