高凤
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 基于MOCVD高性能InP基2~3μm量子阱激光器
- 我们报道利用金属有机化学气相沉积技术制备高性能的2～3 μm InAs/InGaAs/InP 量子阱激光器。
- 罗帅季海铭高凤许锋杨晓光王占国杨涛
- 关键词：金属有机化学气相沉积激光器
- 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
- 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周...
- 杨涛高凤罗帅季海铭
- 文献传递
- 基于弯曲波导结构的宽带可调谐InAs/InP量子点激光器
- 高凤罗帅季海铭杨涛
- 磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法
- 一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊...
- 杨涛许峰罗帅高凤季海铭
- 文献传递
- InP基2-3微米量子阱激光器MOCVD外延制备研究
- 发光波长位于2-3微米波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、红外对抗、长波通信、生物医学等领域而成为目前研究的热点.目前,2-3微米波段激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构.GaSb...
- 罗帅季海铭高凤许锋杨晓光杨涛
- 宽带可调谐外腔InAs/InP量子点激光器
- 可调谐外腔激光器因具有线宽窄、效率高、波长调谐范围大等优点,在光纤通信、环境监测、生物医疗等领域具有广泛的应用.InAs/InP量子点材料因其发光波长能覆盖1.3 μm到2.1μm,其半高全宽一般大于200 nm,非常适...
- 高凤罗帅季海铭杨涛
- 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
- 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周...
- 杨涛高凤罗帅季海铭
- MOCVD制备InAs/InGaAsP/InP量子点材料和激光器
- 半个世纪以来,半导体激光器有源区材料的研究经历了从异质结到量子阱再到量子点的变迁.而且随着材料体系维度降低,即量子限制效应增强,激光器性能显著提升.
- 杨涛罗帅季海铭高凤杨晓光
- 二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法
- 一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外...
- 罗帅季海铭高凤杨涛
- 文献传递
- InAs/InP量子点材料外延制备和激光器
- 半个世纪以来,半导体激光器有源区材料的研究经历了从异质结到量子阱再到量子点的变迁.由于量子点对载流子远动的三维量子限制,量子点激光器具有比传统的量子阱激光器更优良的器件性能,如更低的阈值电流密度、更高的温度稳定性和更快的...
- 杨涛罗帅高凤季海铭杨晓光王占国
