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杨爽

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重大科学仪器设备开发专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇放大器
  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电路
  • 1篇调制掺杂
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结场效应...
  • 1篇损耗
  • 1篇匹配网络
  • 1篇微波
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘衬底
  • 1篇开关

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学

作者

  • 3篇孙晓玮
  • 3篇杨爽
  • 2篇顾建忠
  • 1篇杨明辉
  • 1篇陈敏华
  • 1篇赵明付

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种集成控制模块的微波SOI SPDT开关
2016年
采用0.18μm CMOS SOI工艺设计制作了一种集成控制模块的微波单刀双掷开关。开关控制模块包含了低压差线性稳压器和负电压电荷泵,低压差线性稳压器将外部供电高电压转换为开关电路低电压,负电压电荷泵产生一个负压,用以改善开关的性能。制作的SOI开关具有良好的性能,芯片测试表明,开关导通状态下从DC到9 GHz范围内插损小于1.7 d B,关断状态下隔离度大于28.5 d B,回波损耗小于-15 d B,开关开启时间为1.06μs。芯片的尺寸为0.87 mm×1.08 mm。
杨爽赵明付顾建忠高兴振孙晓玮
关键词：微波单刀双掷开关
Ka波段单片自偏压低噪声放大器被引量：2
2016年
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放大器在26~40GHz频段内增益为22±1dB,噪声优于3dB;在36GHz处噪声优于2.5dB。芯片尺寸为2.0mm×1.0mm×0.1mm。
高兴振杨爽孙晓玮
关键词：KA波段低噪声放大器单片微波集成电路
一种用于毫米波全息成像系统的开关
本发明涉及一种用于毫米波全息成像系统的开关，包括一个朗格耦合器和至少两个低噪声放大器，每个低噪声放大器均与所述朗格耦合器相连，工作时只有一个低噪声放大器；所述朗格耦合器用于使得每个低噪声放大器输出到朗格耦合器的输出损耗相...
杨爽顾建忠杨明辉孙晓玮高兴振陈敏华
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