刘培植
- 作品数：34 被引量：10H指数：1
- 供职机构：太原理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省高等学校科技创新项目山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 一种低温制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶的方法
- 本发明涉及一种高效率制备CsPbBr<Sub>3</Sub>钙钛矿纳米晶的方法，属于铅卤化物钙钛矿纳米晶的制备领域。本发明利用水作为溶剂通过冷冻干燥的方法，制备了11 nm左右大小的由丁二酸二辛酯磺酸钠作为表面活性剂的立...
- 赵敏张雪封刘培植曹海亮郭俊杰
- 一种高光电转换效率的有机光伏电池
- 本发明公开了一种具有高光电转换效率的有机光伏电池，由旋涂在ITO基底上的ZnO阴极缓冲层和活性层，顺次蒸镀在活性层上的MoO<Sub>3</Sub>阳极修饰层和Al电极层构成，其中活性层是以PTB7为电子给体，PC<Su...
- 赵敏刘培植王志元王忠强曹海亮郭俊杰
- 文献传递
- 一种富含催化活性边界的二维Pd纳米筛的制备方法
- 本发明涉及二维贵金属纳米材料技术领域，公开了一种富含催化活性边界的二维Pd纳米筛的制备方法；具体是将乙酰丙酮钯、六羰基钼，十六烷基三甲基溴化铵与抗坏血酸加入到乙醇与水的混合溶液中，搅拌均匀反应后，然后将所得固液混合物分离...
- 郭俊杰田嘉康宋艳慧刘培植王旭东
- HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征
- 2021年
- 实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_(3)源区温度、NH_(3)流量和N_(2)载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl_(3)源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH_(3)流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH_(3)流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH_(3)流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N_(2)载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。
- 朱佳岳明月李天保刘培植郭俊杰许并社
- 一种电弧放电法制备纳米孔石墨烯过滤膜的方法
- 一种电弧放电法制备纳米孔石墨烯过滤膜的方法是将光谱纯石墨棒电极浸没于硫酸盐溶液的液面下，通过电弧放电使阳极蒸发，碳蒸汽及反应生成的H<Sub>2</Sub>和CO将溶液中的金属阳离子还原成纳米级的金属颗粒，反应生成的金属...
- 郭俊杰李美芬章海霞闫晓丽侯莹刘培植
- 文献传递
- 微米阵列LED制备方法
- 一种微米阵列LED制备方法，包括：步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2：将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3：利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先...
- 许并社韩丹马淑芳刘培植贾伟王美玲柳建杰
- 文献传递
- SiC/SiO2界面的原子分辨率三维重构
- 碳化硅(SiC)是一种新型高功率电子器件材料,它有宽带隙、高击穿电场、高热导率等优点,并且能够形成基于硅基半导体器件制备技术的SiO2绝缘层.SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以取代硅基半导体器件被用...
- 刘培植许并社郭俊杰
- 高主元单相密排六方结构的高熵合金及其制备方法
- 本发明公开了一种高主元单相密排六方结构的高熵合金及其制备方法，其名义成分为Sc<Sub>x</Sub>Y<Sub>x</Sub>La<Sub>x</Sub>Nd<Sub>x</Sub>Gd<Sub>x</Sub>Tb<S...
- 乔珺威鲍美林张敏石晓辉杨慧君刘培植吴玉程
- 文献传递
- 锆合金表面氧化锆催化石墨烯生长的低温化学气相沉积法
- 本发明公开了一种锆合金表面氧化锆催化石墨烯生长的低温化学气相沉积方法，采用聚甲基丙烯酸甲酯为固态碳源，在锆合金表面直接低温生长石墨烯保护层，聚甲基丙烯酸甲酯加热分解出来的氧将锆合金表面原位氧化得到氧化锆，氧化锆进而催化石...
- 章海霞侯莹郭俊杰张华闫晓丽刘培植王佳斌
- 文献传递
- 一种精确测量曲面上多层微纳米薄膜厚度的方法
- 一种精确测量曲面上多层微纳米薄膜厚度的方法，所述方法是在一种圆柱形工业传动件上，采用聚焦离子束磨切技术沿垂直薄膜方向切出薄膜的截面，再利用电子显微镜观察薄膜的截面形貌，从而精确测定各层薄膜厚度的方法。该方法工艺步骤简单易...
- 刘培植李美芬王博郭俊杰
- 文献传递
